[發(fā)明專利]微影方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611193075.1
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN107154344A
• 公開（公告）日: 2017-09-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭雅玲;王筱姍;陳建志;林緯良;陳俊光;張慶裕
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F7/26
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003
• 代理人: 王芝艷

技術(shù)領(lǐng)域

本公開實施例涉及微影工藝，還包括間隔物的形成方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)已快速成長一段時日。IC材料與設(shè)計的技術(shù)進步，使每一代IC均比前一代的IC具有更小更復(fù)雜的電路。然而這些進展會增加IC工藝的復(fù)雜性，但這些進展的優(yōu)點明確，因此需要IC工藝中的類似發(fā)展。在集成電路的演化中，功能密度(比如單位晶片面積的內(nèi)連線裝置數(shù)目)越來越大，而幾何尺寸(比如工藝所能產(chǎn)生的最小構(gòu)件或線路)越來越小。雖然現(xiàn)有的IC裝置與其形成方法可用于其發(fā)展目的，但仍無法適用于所有方面。

發(fā)明內(nèi)容

本公開一實施例提供的方法包括：形成第一層于基板上；形成圖案化光致抗蝕劑層于第一層上；施加溶液于圖案化光致抗蝕劑層上，以形成順應(yīng)層于圖案化光致抗蝕劑層上，其中順應(yīng)層還包括第一部分于圖案化光致抗蝕劑層的上表面上，以及第二部分沿著圖案化光致抗蝕劑層的側(cè)壁延伸；選擇性移除圖案化光致抗蝕劑層的上表面上的順應(yīng)層的第一部分；以及選擇性移除圖案化光致抗蝕劑層，以保留順應(yīng)層的第二部分。

附圖說明

圖1是本公開一些實施例中，制作半導(dǎo)體裝置的方法其流程圖。

圖2A、圖2B、圖2C、圖2D、圖2E、圖2F、與圖2G是本公開一些實施例中，工藝的多種階段中半導(dǎo)體裝置的剖視圖。

圖3是本公開一些實施例中，制作半導(dǎo)體裝置的方法其流程圖。

圖4A、圖4B、圖4C、圖4D、圖4E、圖4F、圖4G、與圖4H是本公開一些實施例中，工藝的多種階段中半導(dǎo)體裝置的剖視圖。

圖5A與圖5B分別為本公開一些實施例中，接枝劑的化學(xué)結(jié)構(gòu)。

附圖標(biāo)記說明：

100、300 方法

102、104、106、108、110、112、114、116、302、304、306、308、310、312、314 步驟

200、400 半導(dǎo)體裝置

202、402 基板

204、404 層狀物

204a、404a 圖案

206、406 圖案化光致抗蝕劑層

207 選擇性蝕刻工藝

208、408 接枝溶液

209 蝕刻工藝

210 順應(yīng)層

210a、410a 第一部分

210b、410b 第二部分

406a 上表面

406b 側(cè)壁

410 間隔物層

411 濕蝕刻工藝

500 接枝劑

502 聚合物主鏈

504、506、508、516、518、520 組分

512 第一聚合物主鏈

514 第二聚合物主鏈

具體實施方式

下述內(nèi)容提供的不同實施例或?qū)嵗蓪嵤┍竟_的不同結(jié)構(gòu)。特定構(gòu)件與排列的實施例是用以簡化本公開而非局限本公開。舉例來說，形成第一構(gòu)件于第二構(gòu)件上的敘述包含兩者直接接觸，或兩者之間隔有其他額外構(gòu)件而非直接接觸。此外，本公開的多種例子中可重復(fù)標(biāo)號，但這些重復(fù)僅用以簡化與清楚說明，不代表不同實施例及/或設(shè)置之間具有相同標(biāo)號的單元之間具有相同的對應(yīng)關(guān)系。

此外，空間性的相對用語如「下方」、「其下」、「較下方」、「上方」、「較上方」、或類似用語可用于簡化說明某一元件與另一元件在圖示中的相對關(guān)系?？臻g性的相對用語可延伸至以其他方向使用的元件，而非局限于圖示方向。元件亦可轉(zhuǎn)動90°或其他角度，因此方向性用語僅用以說明圖示中的方向。

當(dāng)半導(dǎo)體裝置尺寸持續(xù)縮小(比如低于20nm節(jié)點)，公知的微影技術(shù)具有光學(xué)限制，其導(dǎo)致分辨率問題且無法達(dá)到所需的微影效能。與此相較，極紫外光(EUV)微影可達(dá)較小的裝置尺寸。此外，在此較小的裝置尺寸下形成間隔物層，亦有助于達(dá)到更小的裝置尺寸并提供其他優(yōu)點。然而現(xiàn)有的間隔物層通常適用于其發(fā)展目的，而無法適用于所有方面。因此本公開的裝置與方法，是設(shè)計以改善在較小裝置尺寸下形成間隔物層的方法。