[發(fā)明專(zhuān)利]微影方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611193075.1 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107154344A | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-09-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭雅玲;王筱姍;陳建志;林緯良;陳俊光;張慶裕 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/027 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/027;G03F7/26 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003 | 代理人: | 王芝艷 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 方法 | ||
1.一種微影方法,包括:
形成一第一層于一基板上;
形成一圖案化光致抗蝕劑層于該第一層上;
施加一溶液于該圖案化光致抗蝕劑層上,以形成一順應(yīng)層于該圖案化光致抗蝕劑層上,其中該順應(yīng)層還包括一第一部分于該圖案化光致抗蝕劑層的上表面上,以及一第二部分沿著該圖案化光致抗蝕劑層的側(cè)壁延伸;
選擇性移除該圖案化光致抗蝕劑層的上表面上的該順應(yīng)層的該第一部分;以及
選擇性移除該圖案化光致抗蝕劑層,以保留該順應(yīng)層的該第二部分。
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- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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