[發(fā)明專利]靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體儲(chǔ)存單元

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611192168.2
• 申請(qǐng)日: 2016-12-21
• 公開（公告）號(hào): CN107154399A
• 公開（公告）日: 2017-09-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 耿文駿;張峰銘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11
• 分類號(hào): H01L27/11
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國

技術(shù)領(lǐng)域

本揭示案是有關(guān)于靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體的布局，及更進(jìn)一步而言，是有關(guān)于可以縮小儲(chǔ)存單元尺寸的靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體布局。

背景技術(shù)

一般來說，當(dāng)靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(static random access memory；SRAM)用于數(shù)據(jù)儲(chǔ)存時(shí)，需要供電給靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體。為滿足對(duì)便攜式電子裝置及高速計(jì)算的要求，需要將相當(dāng)多個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存單元整合至單一個(gè)靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體晶片中，也可能需要將習(xí)用晶體管替換為具有更小大小及更低功耗的垂直晶體管來降低其功耗。然而，在半導(dǎo)體工業(yè)中，將垂直晶體管整合至靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體晶片已顯現(xiàn)挑戰(zhàn)。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本揭示案的一些態(tài)樣，靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(static random access memory；SRAM)儲(chǔ)存單元包括依序排列在第一方向的第一源極擴(kuò)散區(qū)域到第四源極擴(kuò)散區(qū)域、第一通閘晶體管(其源極區(qū)域由第一源極擴(kuò)散區(qū)域形成)、第一上拉晶體管及第二上拉晶體管(其源極區(qū)域由第二源極擴(kuò)散區(qū)域形成)、第一下拉晶體管及第二下拉晶體管(其源極區(qū)域由第三源極擴(kuò)散區(qū)域形成)、第二通閘晶體管(其源極區(qū)域由第四源極擴(kuò)散區(qū)域形成)，及第一通閘晶體管與第二通閘晶體管之間的中間區(qū)域，此中間區(qū)域沿平行于第一方向的方向直線延伸及橫穿整個(gè)靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體儲(chǔ)存單元。第一源極擴(kuò)散區(qū)域及第四源極擴(kuò)散區(qū)域中的每一者與中間區(qū)域隔開。

附圖說明

本揭示案的態(tài)樣最佳在閱讀附圖時(shí)根據(jù)下文的詳細(xì)說明來進(jìn)行理解。應(yīng)注意，依據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)務(wù)，多個(gè)特征并未按比例繪制。實(shí)際上，多個(gè)特征的尺寸可任意增大或縮小，以便使論述明晰。

圖1是根據(jù)本揭示案的多個(gè)實(shí)施例的靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體儲(chǔ)存單元的示例性電路圖；

圖2A是根據(jù)本揭示案的一些實(shí)施例的一示例性垂直晶體管的關(guān)鍵元素示意性透視圖，及圖2B是示例性垂直晶體管的示意性橫剖面圖；

圖3是根據(jù)本揭示案的一些實(shí)施例的靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體儲(chǔ)存單元布局；

圖4是圖3中圖示的靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體儲(chǔ)存單元布局，其中僅圖示通道、源極擴(kuò)散區(qū)域、柵極線，及漏極擴(kuò)散區(qū)域；

圖5是圖3中圖示的靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體儲(chǔ)存單元布局，其中僅圖示通道、源極擴(kuò)散區(qū)域、柵極線、漏極擴(kuò)散區(qū)域及互連區(qū)域；

圖6是一放大圖，此圖示意地圖示圖3中靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體儲(chǔ)存單元的相鄰?fù)ㄩl晶體管的關(guān)鍵組件；

圖7A及圖7B是根據(jù)本揭示案的一些實(shí)施例的靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體儲(chǔ)存單元簡(jiǎn)化布局，其中僅圖示靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體儲(chǔ)存單元的源極擴(kuò)散區(qū)域；

圖8A及圖8B是根據(jù)本揭示案的其他實(shí)施例的靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體儲(chǔ)存單元簡(jiǎn)化布局，這些簡(jiǎn)化布局基于對(duì)圖6中圖示的靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體儲(chǔ)存單元布局的修改；以及

圖9圖示根據(jù)本揭示案的一實(shí)施例用于制造靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體陣列的方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

以下揭示內(nèi)容提供眾多不同的實(shí)施例或?qū)嵗杂糜趯?shí)施本案提供的標(biāo)的物的不同特征。下文中描述組件及排列的特定實(shí)例以簡(jiǎn)化本揭示案。這些組件及排列當(dāng)然僅為實(shí)例，及不意欲進(jìn)行限制。例如，在下文的描述中，第一特征在第二特征上方或之上的形成可包括其中第一特征與第二特征以直接接觸方式形成的實(shí)施例，及亦可包括其中在第一特征與第二特征之間形成額外特征以使得第一特征與第二特征無法直接接觸的實(shí)施例。此外，本揭示案在多個(gè)實(shí)例中可重復(fù)元件符號(hào)及/或字母。此重復(fù)用于實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化與明晰的目的，及其自身并不規(guī)定所論述的多個(gè)實(shí)施例及/或配置之間的關(guān)系。

此外，本案中可使用諸如“下方(beneath)”、“以下(below)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等等的空間相對(duì)術(shù)語在以便于描述，以描述一個(gè)元件或特征與另一或更多個(gè)元件或特征的關(guān)系，如附圖中所圖示。空間相對(duì)術(shù)語意欲包含在使用或操作中的裝置除附圖中繪示的定向以外的不同定向。設(shè)備可經(jīng)定向(旋轉(zhuǎn)90度或其他定向)，及本案中使用的空間相對(duì)描述詞同樣可相應(yīng)地進(jìn)行解釋。