[發明專利]靜態隨機存取記憶體儲存單元在審
| 申請號： | 201611192168.2 | 申請日： | 2016-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN107154399A | 公開（公告）日： | 2017-09-12 |
| 發明（設計）人： | 耿文駿;張峰銘 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/11 | 分類號： | H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 靜態 隨機存取 記憶體 儲存 單元 | ||
【權利要求書】：
1.一種靜態隨機存取記憶體儲存單元，其特征在于，包括：
一第一源極擴散區域、一第二源極擴散區域、一第三源極擴散區域以及一第四源極擴散區域，依序排列在一第一方向中；
一第一通閘晶體管，其一源極區域由該第一源極擴散區域形成；
一第一上拉晶體管及一第二上拉晶體管，其源極區域由該第二源極擴散區域形成；
一第一下拉晶體管及一第二下拉晶體管，其源極區域由該第三源極擴散區域形成；
一第二通閘晶體管，其一源極區域由該第四源極擴散區域形成；及
該第一通閘晶體管與該第二通閘晶體管之間的一中間區域，沿平行于該第一方向的一方向直線地延伸及橫穿整個該靜態隨機存取記憶體儲存單元，
其中該第一源極擴散區域及該第四源極擴散區域中的每一者與該中間區域隔開。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
