[發明專利]制造半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 201611192085.3
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN107154383A
• 公開（公告）日: 2017-09-12
• 發明（設計）人: 沈香谷;黃玉蓮;黃彥傑;陳蕙祺;葉震亞
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國

技術領域

本揭示實施例關于一種半導體裝置的制造方法，且特別是關于導電層位于源極/漏極區上的半導體的制造方法。

背景技術

隨著半導體產業引進了具有更高效能及更強大功能性的新一代集成電路(IC)，目前已經采用了多層金屬布線結構設置于下層電子裝置例如晶體管的上方。為了滿足更高速以及良好可靠性的需求，已經開發了形成金屬線的先進的方法及其結構。

發明內容

根據本揭示實施例的一態樣，一種制造半導體裝置的方法，該方法包含：先形成一第一柵極結構及一第二柵極結構于一基板上，其中該第一柵極結構包含一第一柵電極，一第一覆蓋絕緣層設置于該第一柵電極上，以及一第一側壁間隔物設置于該第一柵電極以及該第一覆蓋絕緣層的側表面上，該第二柵極結構包含一第二柵電極，一第二覆蓋絕緣層設置于該第二柵電極上，以及一第二側壁間隔物設置于該第二柵電極以及該第二覆蓋絕緣層的側表面上；接著，形成一第一源極/漏極區于該第一柵極結構以及該第二柵極結構之間的一區域內；形成一第一絕緣層于該第一源極/漏極區上以及該第一柵極結構及該第二柵極結構之間；形成該第一絕緣層后，使該第一及第二覆蓋絕緣層凹陷，以及使該第一及第二側壁間隔物凹陷，從而形成一第一隔間于該凹陷的第一覆蓋絕緣層及該凹陷的第一側壁間隔物上，以及一第二隔間于該凹陷的第二覆蓋絕緣層及該凹陷的第二側壁間隔物上；最后形成一第一保護層于該第一隔間中，及一第二保護層于該第二隔間中，其中該第一及第二保護層包含從以過渡金屬氮化物為基底的材料及非晶硅的組成中選擇至少一種。

附圖說明

當結合隨附附圖進行閱讀時，本揭示的詳細描述將能被充分地理解。應注意，根據業界標準實務，各特征并非按比例繪制且僅用于圖示目的。事實上，出于論述清晰的目的，可任意增加或減小各特征的尺寸。

圖1A繪示了根據本揭示一實施例于各階段的制造半導體裝置的平面示意圖(俯視圖)；

圖1B繪示了圖1A的沿X1-X1線的剖面示意圖；

圖1C繪示了柵極結構放大圖；

圖1D繪示了根據本揭示一實施例于各階段的制造半導體裝置的透視示意圖；

圖2至圖8繪示了對應圖1A的沿X1-X1線的于各階段制造半導體裝置的剖面示意圖；

圖9至圖10繪示了根據本揭示另一實施例的剖面示意圖；

圖11至圖12繪示了根據本揭示另一實施例的剖面示意圖。

具體實施方式

應理解，以下揭示內容提供許多不同實施例或實例，以便實施本揭示的不同特征。下文描述組件及排列的特定實施例或實例以簡化本揭示。當然，此等實例僅為示例性且并不欲為限制性。舉例而言，元件的尺寸并不受限于所揭示的范圍或值，但可取決于制程條件及/或裝置的所欲特性。此外，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括以直接接觸形成第一特征及第二特征的實施例，且亦可包括可在第一特征與第二特征之間插入形成額外特征以使得第一特征及第二特征可不處于直接接觸的實施例。為了簡明性及清晰性，可以不同尺度任意繪制各特征。

另外，為了便于描述，本文可使用空間相對性術語(諸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及類似者)來描述諸圖中所圖示的一元件或特征與另一元件(或多個元件)或特征(或多個特征)的關系。除了諸圖所描繪的定向外，空間相對性術語意欲包含使用或操作中裝置的不同定向。設備可經其他方式定向(旋轉90度或處于其他定向上)且因此可同樣解讀本文所使用的空間相對性描述詞。另外，術語“由……制成”可意謂“包含”或“由……組成”中任一者。

圖1A及圖1B顯示了根據本揭示的一實施例，其于半導體裝置的制造程序中的一階段示意圖。圖1A繪示一平面(上視)圖，而圖1B繪示圖1A中沿線X1-X1的剖面圖。