[發(fā)明專利]制造半導體裝置的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611192085.3
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN107154383A
• 公開（公告）日: 2017-09-12
• 發(fā)明（設計）人: 沈香谷;黃玉蓮;黃彥傑;陳蕙祺;葉震亞
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國

1.一種制造半導體裝置的方法，其特征在于，該方法包含：

形成一第一柵極結構及一第二柵極結構于一基板上，該第一柵極結構包含一第一柵電極，一第一覆蓋絕緣層設置于該第一柵電極上，以及一第一側壁間隔物設置于該第一柵電極以及該第一覆蓋絕緣層的側表面上，該第二柵極結構包含一第二柵電極，一第二覆蓋絕緣層設置于該第二柵電極上，以及一第二側壁間隔物設置于該第二柵電極以及該第二覆蓋絕緣層的側表面上；

形成一第一源極/漏極區(qū)于該第一柵極結構以及該第二柵極結構之間的一區(qū)域內；

形成一第一絕緣層于該第一源極/漏極區(qū)上以及該第一柵極結構及該第二柵極結構之間；

形成該第一絕緣層后，使該第一覆蓋絕緣層及該第二覆蓋絕緣層凹陷，以及使該第一側壁間隔物及該第二側壁間隔物凹陷，從而形成一第一隔間于該凹陷的第一覆蓋絕緣層及該凹陷的第一側壁間隔物上，以及一第二隔間于該凹陷的第二覆蓋絕緣層及該凹陷的第二側壁間隔物上；以及

形成一第一保護層于該第一隔間中，及一第二保護層于該第二隔間中，其中該第一保護層及該第二保護層包含從以過渡金屬氮化物為基底的材料及非晶硅的組成中選擇至少一種。