[發明專利]三維MOS存儲芯片的樣品制備方法及樣品觀測方法

有效

• 申請號: 201611191662.7
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN106596226B
• 公開（公告）日: 2019-08-23
• 發明（設計）人: 高慧敏;張順勇;湯光敏;盧勤
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: G01N1/28
• 分類號: G01N1/28
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種三維MOS存儲芯片的樣品制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供電子束裝置和包含失效地址的芯片，所述芯片上有第一參考點和第二參考點，所述第一參考點與所述失效地址在同一鉛錘線上，所述第二參考點與所述失效地址在同一水平線上；

在所述芯片標上第一記號和第二記號，所述第一記號覆蓋所述第一參考點，所述第二記號覆蓋所述第二參考點；

研磨第一邊側面至所述第一記號處，研磨第二邊側面至所述第二記號處，包括：

在所述芯片標上第三記號、第四記號和第五記號，所述第三記號和所述第四記號在同一水平線，所述第四記號和所述第五記號在同一鉛錘線；

將所述第一邊側面手動研磨至所述第三記號和所述第四記號處，將所述第二邊側面手動研磨至所述第四記號和所述第五記號處；

再使用聚焦離子束將所述第一邊側面研磨至所述第一記號處、使用聚焦離子束將所述第二邊側面研磨至所述第二記號處；

對所述芯片進行平面樣品制備，根據所述電子束裝置拍出的圖像將所述芯片切到所述失效地址所在層。

2.如權利要求1所述的三維MOS存儲芯片的樣品制備方法，其特征在于，所述第一邊側面是指：所述芯片上與水平線平行，且距所述第一參考點最近的邊側面；所述第二邊側面是指：所述芯片上與水平線垂直，且距所述第二參考點最近的邊側面。

3.如權利要求1所述的三維MOS存儲芯片的樣品制備方法，其特征在于，在所述芯片標上第一記號和第二記號之前，所述三維MOS存儲芯片的樣品制備方法還包括：先將所述芯片的正面研磨到位線接觸層。

4.如權利要求3所述的三維MOS存儲芯片的樣品制備方法，其特征在于，研磨第一邊側面至所述第一記號處，研磨第二邊側面至所述第二記號處后，所述三維MOS存儲芯片的樣品制備方法還包括：在所述第二邊側面上鍍上保護層。

5.如權利要求4所述的三維MOS存儲芯片的樣品制備方法，其特征在于，是通過聚焦離子束在所述第二邊側面上鍍上保護層。

6.如權利要求5所述的三維MOS存儲芯片的樣品制備方法，其特征在于，所述保護層是鉑金。

7.如權利要求1所述的三維MOS存儲芯片的樣品制備方法，其特征在于，在對所述芯片進行平面視圖樣品制備之前，所述三維MOS存儲芯片的樣品制備方法還包括：先將所述芯片的側面朝上粘在支撐物上。

8.如權利要求1所述的三維MOS存儲芯片的樣品制備方法，其特征在于，所述第一記號、所述第二記號、所述第三記號、所述第四記號和所述第五記號是通過聚焦離子束標記在所述芯片上。

9.一種基于權利要求1～8任一項所述的三維MOS存儲芯片的樣品制備方法制備的樣品觀測方法，其特征在于，包括如下步驟：

從第一參考點沿垂直所述第一參考點所在側邊方向數出第一距離，從第二參考點沿垂直所述第二參考點所在側邊數出第二距離，兩者的交叉點即失效地址的單元結構。

10.如權利要求9所述的三維MOS存儲芯片的樣品觀測方法，其特征在于，所述第一距離是所述第一參考點與所述失效地址的距離；所述第二距離是所述第二參考點與所述失效地址的距離。