[發明專利]淺溝槽隔離浮柵結構的制作方法和浮柵型閃存的制作方法

在審

• 申請號: 201611191660.8
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN106783860A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 姚蘭;周俊
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L29/423
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 屈蘅,李時云

1.一種淺溝槽隔離浮柵結構的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半導體襯底；

在所述半導體襯底上依次形成一電子通道層和一電子存儲層；

在所述電子存儲層上形成圖形化的光阻層；

以所述圖形化的光阻層為掩膜，刻蝕所述電子存儲層、電子通道層和部分半導體襯底，形成若干溝槽，再去除所述圖形化光阻層；

在所述溝槽內填充絕緣材料，所述絕緣材料覆蓋所述電子存儲層；

采用化學機械研磨工藝去除所述電子存儲層上的絕緣材料，形成淺溝槽隔離浮柵結構。

2.如權利要求1所述的淺溝槽隔離浮柵結構的制作方法，其特征在于，所述半導體襯底上形成有一外延層，所述電子通道層形成于所述外延層上。

3.如權利要求2所述的淺溝槽隔離浮柵結構的制作方法，其特征在于，所述外延層為P型摻雜外延層。

4.如權利要求2所述的淺溝槽隔離浮柵結構的制作方法，其特征在于，所述溝槽貫穿所述電子存儲層、電子通道層和部分外延層。

5.如權利要求2所述的淺溝槽隔離浮柵結構的制作方法，其特征在于，所述半導體襯底中形成有一阱區。

6.如權利要求5所述的淺溝槽隔離浮柵結構的制作方法，其特征在于，所述阱區通過P型離子注入的方式形成。

7.如權利要求5所述的淺溝槽隔離浮柵結構的制作方法，其特征在于，一部分的溝槽貫穿所述電子存儲層、電子通道層、阱區和部分外延層，另一部分溝槽貫穿所述電子存儲層、電子通道層和部分外延層。

8.如權利要求1～7中任一項所述的淺溝槽隔離浮柵結構的制作方法，其特征在于，所述半導體襯底為P型摻雜襯底。

9.如權利要求1～7中任一項所述的淺溝槽隔離浮柵結構的制作方法，其特征在于，所述電子通道層的材質為氧化物。

10.如權利要求1～7中任一項所述的淺溝槽隔離浮柵結構的制作方法，其特征在于，所述電子存儲層的材質為多晶硅。

11.如權利要求1～7中任一項所述的淺溝槽隔離浮柵結構的制作方法，其特征在于，所述絕緣材料通過高深寬比沉積工藝或者高密度電漿沉積工藝沉積。

12.一種浮柵型閃存的制作方法，其特征在于，包括：

采用如權利要求1～11中任一項所述的方法形成淺溝槽隔離浮柵結構。