[發(fā)明專利]一種重?fù)揭r底反型高阻IC外延片的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611191347.4
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN106653570B
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏建宇;金龍;譚衛(wèi)東
• 申請（專利權(quán)）人: 南京國盛電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 32204 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 張婧<國際申請>=<國際公布>=<進(jìn)入國

1.一種重?fù)揭r底反型高阻IC外延片的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

A、預(yù)備重?fù)揭r底埋層片：選用重?fù)降穆駥悠娮杪剩?.01Ωcm，背封層為二氧化硅+多晶硅；

B、HCl拋光：在1100℃下，選擇HCl流量為3～5L/min，拋光時(shí)間2～6min，拋光完成后H₂吹掃4～8min；

C、外延生長：選擇雙層外延工藝條件，硅源采用超高純?nèi)葰涔瑁谝徊缴L一重?fù)竭^渡層，其生長溫度為1100℃，厚度為1～2μm，生長速率為0.4～0.6μm/min；第二步生長一高阻外延層，其生長溫度為1160～1180℃，生長速率為0.4～0.6μm/min。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的重?fù)揭r底反型高阻IC外延片的制備方法，其特征在于：所述外延生長中高頻感應(yīng)加熱體為表面經(jīng)裂解處理并表面包封高純SiC的高純石墨基座。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的重?fù)揭r底反型高阻IC外延片的制備方法，其特征在于：在外延生長前，在所述高純石墨基座表面淀積一層10～20μm通有重?fù)诫s質(zhì)的多晶硅，通入雜質(zhì)類型與外延層雜質(zhì)類型相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的重?fù)揭r底反型高阻IC外延片的制備方法，其特征在于：所述重?fù)竭^渡層和高阻外延層與襯底埋層片雜質(zhì)類型相反。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的重?fù)揭r底反型高阻IC外延片的制備方法，其特征在于：所述H₂純度為99.9999％以上，其采用的氫純化器為分子篩。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的重?fù)揭r底反型高阻IC外延片的制備方法，其特征在于：在進(jìn)行外延前清除外延設(shè)備中石英鐘罩內(nèi)壁和石英零件上淀積殘留物。