[發(fā)明專利]互連結(jié)構(gòu)及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611191301.2 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107039338B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-07-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳俊毅;李建勛;周淳樸;薛福隆 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/768 | 分類號(hào): | H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李偉 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 互連 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明的實(shí)施例提供用于制造互連結(jié)構(gòu)的方法以及互連結(jié)構(gòu)。該方法包括:在襯底中形成開(kāi)口;在開(kāi)口中形成低k介電塊;在低k介電塊中形成至少一個(gè)通孔;以及在通孔中形成導(dǎo)體。該互連結(jié)構(gòu)包括襯底、介電塊和導(dǎo)體。襯底具有位于其中的開(kāi)口。介電塊位于襯底的開(kāi)口中。介電塊具有位于其中的至少一個(gè)通孔。介電塊的介電常數(shù)小于襯底的介電常數(shù)。導(dǎo)體位于介電塊的通孔中。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實(shí)施例總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,更具體地,涉及互連結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體器件用于各種應(yīng)用中,諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和許多其他便攜式電子設(shè)備。這些便攜式電子設(shè)備小型、輕量、并且以相對(duì)低的成本大量生產(chǎn)。
諸如便攜式電子設(shè)備的半導(dǎo)體器件可被分為包括諸如集成電路(IC)管芯、封裝件、印刷電路板(PCB)的簡(jiǎn)單層次結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)。封裝件為IC管芯與PCB之間的接口。IC管芯由諸如硅的半導(dǎo)體材料制成。然后將管芯組裝到封裝件中。然后封裝的管芯直接附接至PCB或者附接至另一襯底,這可為第二層級(jí)的封裝。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供了一種用于制造互連結(jié)構(gòu)的方法,所述方法包括:在襯底中形成開(kāi)口;在所述開(kāi)口中形成低k介電塊;在所述低k介電塊中形成至少一個(gè)第一通孔;以及在所述第一通孔中形成第一導(dǎo)體。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供了一種互連結(jié)構(gòu),包括:襯底,所述襯底具有位于其中的開(kāi)口;介電塊,位于所述襯底的所述開(kāi)口中,所述介電塊具有位于其中的至少一個(gè)第一通孔,其中,所述介電塊的介電常數(shù)小于所述襯底的介電常數(shù);以及第一導(dǎo)體,位于所述介電塊的所述第一通孔中。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面,提供了一種互連結(jié)構(gòu),包括:襯底,具有位于其中的開(kāi)口;介電塊,位于所述襯底的所述開(kāi)口中,所述介電塊具有位于其中的至少一個(gè)通孔;導(dǎo)體,位于所述介電塊的所述通孔中;以及屏蔽元件,位于所述導(dǎo)體周圍并且通過(guò)所述介電塊與所述導(dǎo)體分隔。
附圖說(shuō)明
當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí),根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以最佳地理解本發(fā)明的方面。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是,根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐,各個(gè)部件未按比例繪制。實(shí)際上,為了清楚地討論,各個(gè)部件的尺寸可以任意地增加或減少。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的具有差分對(duì)設(shè)計(jì)的互連結(jié)構(gòu)的立體圖;
圖2是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的沿線2截取圖1的互連結(jié)構(gòu)的截面圖;
圖3是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的用于制造圖1的互連結(jié)構(gòu)的方法的流程圖;
圖4A至圖4E為沿圖1的線2截取的截面圖,以順序地例示用于制造根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的互連結(jié)構(gòu)的步驟;
圖5是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的具有差分對(duì)設(shè)計(jì)的互連結(jié)構(gòu)的立體圖;
圖6是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的沿線6截取圖5的互連結(jié)構(gòu)的截面圖;
圖7是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的用于制造圖5的互連結(jié)構(gòu)的方法的流程圖;
圖8A至圖8I為沿圖5的線6截取的截面圖,以順序地例示用于制造根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的互連結(jié)構(gòu)的步驟;
圖9是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的具有單端設(shè)計(jì)的互連結(jié)構(gòu)的立體圖;
圖10是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的沿線10截取圖9的互連結(jié)構(gòu)的截面圖;
圖11是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的用于制造圖9的互連結(jié)構(gòu)的方法的流程圖;
圖12A至圖12E為沿圖9的線10截取的截面圖,以順序地例示用于制造根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的互連結(jié)構(gòu)的步驟;
圖13是根據(jù)本發(fā)明的一些其他實(shí)施例的具有單端設(shè)計(jì)的互連結(jié)構(gòu)的立體圖;
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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