[發明專利]互連結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201611191301.2
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN107039338B
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 吳俊毅;李建勛;周淳樸;薛福隆
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種用于制造半導體的互連結構的方法，所述方法包括：

在襯底中形成開口；

在所述開口的側壁上形成屏蔽元件，其中，所述屏蔽元件具有突出所述襯底的第一部分，所述屏蔽元件的第一部分的底面與所述襯底的頂面接觸；

在所述開口中形成低k介電塊；

在所述低k介電塊中形成至少一個第一通孔；以及

在所述第一通孔中形成第一導體，其中，所述第一導體具有突出所述第一通孔的第一部分，所述第一導體的第一部分的底面與所述低k介電塊的頂面接觸，并且所述低k介電塊的頂面與所述襯底的頂面齊平，

其中，在頂視圖中，所述屏蔽元件的第一部分與所述第一導體的第一部分具有通過部分所述低k介電塊間隔開的環形形狀。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述低k介電塊的介電常數小于所述襯底的介電常數。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述第一通孔的側壁上形成所述第一導體。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，通過電鍍形成所述第一導體。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述第一通孔中形成插塞。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，在頂視圖中，所述屏蔽元件圍繞兩個所述第一導體。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述第一導體上形成焊盤；

在所述襯底上形成介電層；

在所述介電層中形成至少一個第二通孔以暴露所述焊盤；以及

在所述第二通孔中形成第二導體，其中，所述第二導體通過所述焊盤電連接至所述第一導體。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，通過機械鉆孔、激光鉆孔、光刻或它們的組合來形成所述開口。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，通過機械鉆孔、機械布線或它們的組合來形成所述第一通孔。

10.一種半導體的互連結構，包括：

襯底，所述襯底具有位于其中的開口；

介電塊，位于所述襯底的所述開口中，所述介電塊具有位于其中的至少一個第一通孔，其中，所述介電塊的介電常數小于所述襯底的介電常數；

屏蔽元件，位于所述介電塊與所述開口的側壁之間，其中，所述屏蔽元件具有突出所述襯底的第一部分，所述屏蔽元件的第一部分的底面與所述襯底的頂面接觸；以及

第一導體，位于所述介電塊的所述第一通孔中，其中，所述第一導體具有突出所述第一通孔的第一部分，所述第一導體的第一部分的底面與所述介電塊的頂面接觸，并且所述介電塊的頂面與所述襯底的頂面齊平，

其中，在頂視圖中，所述屏蔽元件的第一部分與所述第一導體的第一部分具有通過部分所述介電塊間隔開的環形形狀。

11.根據權利要求10所述的互連結構，其中，所述第一導體位于所述第一通孔的側壁上。

12.根據權利要求10所述的互連結構，還包括：

插塞，位于所述第一通孔中。

13.根據權利要求10所述的互連結構，其中，在頂視圖中，所述屏蔽元件圍繞兩個所述第一導體。

14.根據權利要求10所述的互連結構，還包括：

焊盤，位于所述第一導體中；

介電層，位于所述襯底上并且所述介電層具有位于其中的至少一個第二通孔以暴露所述焊盤；以及

第二導體，位于所述第二通孔中并且通過所述焊盤電連接至所述第一導體。

15.根據權利要求10所述的互連結構，還包括：

至少一根導線，位于所述襯底上并且電連接至所述第一導體。