[發明專利]一種多晶硅錠的開方裝置和方法

有效

• 申請號: 201611190986.9
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN106738396B
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發明（設計）人: 李林東;汪沛淵;歐子楊;羅丁;陳偉;肖貴云;胡穎;王海濤;金浩
• 申請（專利權）人: 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 羅滿

技術領域

本發明屬于光伏設備制造技術領域，特別是涉及一種多晶硅錠的開方裝置和方法。

背景技術

目前G6多晶硅錠開方過程中，普遍采用的如圖1所示的布線方式，圖1為現有技術中采用的多晶硅錠開方布線的方式的示意圖。開方后得到可用硅塊101和多晶邊皮102其中，多晶邊皮102的厚度約為3cm，靠坩堝面的多晶邊皮由于受到坩堝噴涂的氮化硅和坩堝中其他雜質的擴散影響，導致靠坩堝面的多晶邊皮中雜質含量高，正常情況下，該部分的多晶邊皮經過打磨和清洗后，循環用于鑄錠過程中。打磨過程中，硅料成粉塵狀，無法循環使用，造成硅料的損耗，而且打磨過程中，會產生大量粉塵和噪音，對員工造成一定的傷害，打磨過程中，由于部分雜質鑲嵌的較深，雜質無法通過打磨過程被完全去除，循環使用會導致雜質被重新引入硅錠中，降低鑄錠質量。

發明內容

為解決上述問題，本發明提供了一種多晶硅錠的開方裝置和方法，將邊皮料分為兩部分，靠近坩堝面的邊皮，雜質含量較高，后續將其回爐提純后再鑄錠，而靠中心硅錠區的邊皮則可以直接通過清洗后循環使用，能夠減少靠近坩堝面的邊皮的打磨，減少硅料中的雜質，提高鑄錠質量，避免雜質去除不完全和粉塵狀硅料的損耗問題。

本發明提供的一種多晶硅錠的開方裝置，包括相互平行的多條切割線，其中位于最外側的邊皮切割線用于切出邊皮，在所述邊皮切割線的外側還設置有至少一條對所述邊皮進行細分的附加切割線，用于將靠近坩堝面的邊皮與靠近中心硅錠的邊皮分離出來。

優選的，在上述多晶硅錠的開方裝置中，所述附加切割線的數量為一條。

優選的，在上述多晶硅錠的開方裝置中，所述附加切割線與硅錠邊緣之間的水平方向上的距離為5毫米至10毫米。

優選的，在上述多晶硅錠的開方裝置中，所述邊皮切割線與所述硅錠邊緣之間的水平方向上的距離為15毫米至40毫米。

本發明提供的一種多晶硅錠的開方方法，包括：

利用如權利要求1-4任一項所述的開方裝置對多晶硅錠進行開方，得到靠近坩堝面的邊皮以及靠近中心硅錠的邊皮；

將所述靠近坩堝面的邊皮清洗后進行回爐提純；

將所述靠近中心硅錠的邊皮清洗后直接循環利用，生長多晶硅錠。

優選的，在上述多晶硅錠的開方方法中，所述將所述靠近坩堝面的邊皮清洗后進行回爐提純包括：

將所述靠近坩堝面的邊皮清洗后放入坩堝中進行熔化鑄錠，將雜質聚集到硅錠的頭部和尾部，再將硅錠頭部和尾部進行打磨酸洗以進一步除雜提純。

通過上述描述可知，本發明提供的上述多晶硅錠的開方裝置和方法，由于該裝置包括相互平行的多條切割線，其中位于最外側的邊皮切割線用于切出邊皮，在所述邊皮切割線的外側還設置有至少一條對所述邊皮進行細分的附加切割線，用于將靠近坩堝面的邊皮與靠近中心硅錠的邊皮分離出來，因此，靠近坩堝面的邊皮，雜質含量較高，后續將其回爐提純后再鑄錠，而靠中心硅錠區的邊皮則可以直接通過清洗后循環使用，能夠減少靠近坩堝面的邊皮的打磨，減少硅料中的雜質，提高鑄錠質量，避免雜質去除不完全和粉塵狀硅料的損耗問題。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為現有技術中采用的多晶硅錠開方布線的方式的示意圖；

圖2為本申請實施例提供的第一種多晶硅錠的開方裝置的示意圖；

圖3為利用本申請實施例提供的第一種多晶鑄錠的開方裝置切出來的邊皮的示意圖；

圖4為本申請實施例提供的第一種多晶硅錠的開方方法的示意圖。

具體實施方式

本發明的核心思想在于提供一種多晶硅錠的開方裝置和方法，將邊皮料分為兩部分，靠近坩堝面的邊皮，雜質含量較高，后續將其回爐提純后再鑄錠，而靠中心硅錠區的邊皮則可以直接通過清洗后循環使用，能夠減少靠近坩堝面的邊皮的打磨，減少硅料中的雜質，提高鑄錠質量，避免雜質去除不完全和粉塵狀硅料的損耗問題。

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。