[發明專利]一種多晶硅錠的開方裝置和方法有效
| 申請號： | 201611190986.9 | 申請日： | 2016-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN106738396B | 公開（公告）日： | 2019-03-22 |
| 發明（設計）人： | 李林東;汪沛淵;歐子楊;羅丁;陳偉;肖貴云;胡穎;王海濤;金浩 | 申請（專利權）人： | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分類號： | B28D5/04 | 分類號： | B28D5/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 羅滿 |
| 地址： | 334100 江西*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多晶 開方 裝置 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種多晶硅錠的開方裝置，包括相互平行的多條切割線，其中位于最外側的邊皮切割線用于切出邊皮，其特征在于，在所述邊皮切割線的外側還設置有至少一條對所述邊皮進行細分的附加切割線，用于將靠近坩堝面的邊皮與靠近中心硅錠的邊皮分離出來。
2.根據權利要求1所述的多晶硅錠的開方裝置，其特征在于，所述附加切割線的數量為一條。
3.根據權利要求2所述的多晶硅錠的開方裝置，其特征在于，所述附加切割線與硅錠邊緣之間的水平方向上的距離為5毫米至10毫米。
4.根據權利要求3所述的多晶硅錠的開方裝置，其特征在于，所述邊皮切割線與所述硅錠邊緣之間的水平方向上的距離為15毫米至40毫米。
5.一種多晶硅錠的開方方法，其特征在于，包括：
利用如權利要求1-4任一項所述的開方裝置對多晶硅錠進行開方，得到靠近坩堝面的邊皮以及靠近中心硅錠的邊皮；
將所述靠近坩堝面的邊皮清洗后進行回爐提純；
將所述靠近中心硅錠的邊皮清洗后直接循環利用，生長多晶硅錠。
6.根據權利要求5所述的多晶硅錠的開方方法，其特征在于，所述將所述靠近坩堝面的邊皮清洗后進行回爐提純包括：
將所述靠近坩堝面的邊皮清洗后放入坩堝中進行熔化鑄錠，將雜質聚集到硅錠的頭部和尾部，再將硅錠頭部和尾部進行打磨酸洗以進一步除雜提純。
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