[發明專利]一種高速微帶線裝置

在審

• 申請號: 201611190870.5
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN106785886A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 吳葵;張任
• 申請（專利權）人: 武漢市觀達科技有限責任公司
• 主分類號: H01S5/02
• 分類號: H01S5/02
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司11212
• 代理人: 陳薇

技術領域

本發明涉及通信技術領域，特別是涉及一種高速微帶線裝置。

背景技術

10G激光器同軸封裝(TO)中熱沉所用的材料是氮化鋁(AlN)，現有工藝所用熱沉的厚度通常是0.22毫米，在0.22毫米厚的AlN材料表面上的金屬微帶線的等效線寬約為0.5毫米。可通過電磁學計算，對于0.22毫米厚的AlN材料，其表面上0.5毫米線寬的金屬微帶線的特征阻抗為30歐姆左右，而與其連接的普通光模塊的輸入阻抗為50歐姆，這兩者的阻抗并不匹配，從而會引起一定的高速信號的反射。

發明內容

本發明提供一種高速微帶線裝置，用于解決10G激光器同軸封裝(TO)中熱沉用微帶線的阻抗與普通光模塊的阻抗不匹配以及信號反射系數高的問題。

本發明解決上述技術問題的技術方案如下：一種高速微帶線裝置，包括：激光器正極微帶線和激光器負極微帶線；

所述激光器正極微帶線包括激光器正極微帶線一區、激光器正極微帶線二區和激光器正極微帶線三區；

所述激光器正極微帶線三區位于所述激光器正極微帶線一區的右斜下方，并通過位于所述激光器正極微帶線的正中間的所述激光器正極微帶線二區連接；

所述激光器正極微帶線一區設有第一金絲鍵合區；

所述激光器正極微帶線三區設有第三金絲鍵合區；

所述激光器負極微帶線包括激光器負極微帶線一區、激光器負極微帶線二區和激光器負極微帶線三區；

所述激光器負極微帶線三區位于所述激光器負極微帶線一區的左斜下方，并通過位于所述激光器負極微帶線的正中間的所述激光器負極微帶線二區連接；

所述激光器負極微帶線一區設有第二金絲鍵合區。

本發明的有益效果是：本發明通過對激光器正極微帶線的幾何結構和激光器負極微帶線的幾何結構的重新設計，使得第一金絲鍵合區和第二金絲鍵合區的寬度在足夠寬(大于400微米)的情況下，可以分別對激光器正極微帶線的等效線寬和激光器負極微帶線的等效線寬進行調節，以得到實際所需要的激光器正極微帶線的特征阻抗和激光器負極微帶線的特征阻抗。

在上述技術方案的基礎上，本發明還可以做如下改進。

進一步，所述第一金絲鍵合區和所述第二金絲鍵合區的寬度大于400微米，所述激光器正極微帶線二區的等效線寬和所述激光器負極微帶線二區的等效線寬均為210～250微米，特征阻抗均為48～52歐姆。

本發明的進一步有益效果是：調整激光器正極微帶線的等效線寬和激光器負極微帶線的等效線寬分別在0.23毫米左右，實現了激光器正極微帶線的特征阻抗和激光器負極微帶線的特征阻抗分別約為49歐姆，這與普通光模塊的50歐姆輸入阻抗基本匹配，從源頭上減少了高速信號的反射系數，改善了信號的傳輸質量。

進一步，所述第一金絲鍵合區的面積和所述第二金絲鍵合區的面積均大于所述第三金絲鍵合區的面積。

進一步，所述激光器正極微帶線三區的水平寬度和所述激光器正極微帶線一區的水平寬度的差值小于30微米；所述激光器負極微帶線三區的水平寬度和所述激光器負極微帶線一區的水平寬度的差值小于30微米。

進一步，所述第一金絲鍵合區和所述第二金絲鍵合區均外接于同軸封裝底座的接線柱。

進一步，所述第三金絲鍵合區外接于激光器芯片。

本發明的進一步有益效果是：激光器芯片上焊盤面積較小，最多只能鍵合兩根金絲，因而在激光器正極微帶線上可以只預留較小面積的第三金絲鍵合區域。為了降低芯片封裝時金絲鍵合的附加阻抗(主要是金絲電感)，需要在激光器正極(LD+)微帶線上和激光器負極(LD-)微帶線上預留面積較大的區域，以便鍵合3～6根金絲，以滿足高速信號傳輸的需求。

進一步，所述激光器正極微帶線位于所述激光器負極微帶線的左側。

進一步，所述第一金絲鍵合區位于所述激光器正極微帶線的左側，所述第二金絲鍵合區位于所述激光器負極微帶線的右側。

進一步，所述第一金絲鍵合區和所述第二金絲鍵合區左右對稱。

附圖說明

圖1為本發明實施例所述的一種高速微帶線裝置的示意性結構圖；

圖2為圖1所示的高速微帶線裝置的高頻結構仿真圖；

圖3為現有微帶線裝置的高頻結構仿真圖；

圖4為圖1所示的高速微帶線裝置和現有微帶線裝置的反射系數表。