[發(fā)明專利]一種高速微帶線裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611190870.5
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN106785886A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳葵;張任
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢市觀達科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01S5/02
• 分類號: H01S5/02
• 代理公司: 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11212
• 代理人: 陳薇

1.一種高速微帶線裝置，其特征在于，包括：激光器正極微帶線(1)和激光器負(fù)極微帶線(2)；

所述激光器正極微帶線(1)包括激光器正極微帶線一區(qū)(11)、激光器正極微帶線二區(qū)(12)和激光器正極微帶線三區(qū)(13)；

所述激光器正極微帶線三區(qū)(13)位于所述激光器正極微帶線一區(qū)(11)的右斜下方，并通過位于所述激光器正極微帶線(1)的正中間的所述激光器正極微帶線二區(qū)(12)連接；

所述激光器正極微帶線一區(qū)(11)設(shè)有第一金絲鍵合區(qū)(3)；

所述激光器正極微帶線三區(qū)(13)設(shè)有第三金絲鍵合區(qū)(5)；

所述激光器負(fù)極微帶線(2)包括激光器負(fù)極微帶線一區(qū)(21)、激光器負(fù)極微帶線二區(qū)(22)和激光器負(fù)極微帶線三區(qū)(23)；

所述激光器負(fù)極微帶線三區(qū)(23)位于所述激光器負(fù)極微帶線一區(qū)(21)的左斜下方，并通過位于所述激光器負(fù)極微帶線(2)的正中間的所述激光器負(fù)極微帶線二區(qū)(22)連接；

所述激光器負(fù)極微帶線一區(qū)(21)設(shè)有第二金絲鍵合區(qū)(4)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高速微帶線裝置，其特征在于，所述第一金絲鍵合區(qū)(3)和所述第二金絲鍵合區(qū)(4)的寬度大于400微米，所述激光器正極微帶線二區(qū)(12)的等效線寬和所述激光器負(fù)極微帶線二區(qū)(22)的等效線寬均為210～250微米，特征阻抗均為48～52歐姆。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高速微帶線裝置，其特征在于，所述第一金絲鍵合區(qū)(3)的面積和所述第二金絲鍵合區(qū)(4)的面積均大于所述第三金絲鍵合區(qū)(5)的面積。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高速微帶線裝置，其特征在于，所述激光器正極微帶線三區(qū)(13)的水平寬度和所述激光器正極微帶線一區(qū)(11)的水平寬度的差值小于30微米；所述激光器負(fù)極微帶線三區(qū)(23)的水平寬度和所述激光器負(fù)極微帶線一區(qū)(21)的水平寬度的差值小于30微米。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種高速微帶線裝置，其特征在于，所述第一金絲鍵合區(qū)(3)和所述第二金絲鍵合區(qū)(4)均外接于同軸封裝底座的接線柱。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種高速微帶線裝置，其特征在于，所述第三金絲鍵合區(qū)(5)外接于激光器芯片。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種高速微帶線裝置，其特征在于，所述激光器正極微帶線(1)位于所述激光器負(fù)極微帶線(2)的左側(cè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種高速微帶線裝置，其特征在于，所述第一金絲鍵合區(qū)(3)位于所述激光器正極微帶線(1)的左側(cè)，所述第二金絲鍵合區(qū)(4)位于所述激光器負(fù)極微帶線(2)的右側(cè)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種高速微帶線裝置，其特征在于，所述第一金絲鍵合區(qū)(3)和所述第二金絲鍵合區(qū)(4)左右對稱。