[發(fā)明專利]測(cè)試結(jié)構(gòu)及利用該測(cè)試結(jié)構(gòu)監(jiān)測(cè)探針針痕偏移的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611190346.8
• 申請(qǐng)日: 2016-12-21
• 公開（公告）號(hào): CN106783804B
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙毅;瞿奇;陳玉立;彭飛;梁卉榮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/544
• 分類號(hào): H01L23/544;G01R31/28
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種測(cè)試結(jié)構(gòu)，應(yīng)用于晶圓可接收測(cè)試，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)置于晶圓中，所述晶圓包括多層金屬層，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)包括多個(gè)金屬焊盤和多個(gè)有源器件，每個(gè)所述金屬焊盤下方對(duì)應(yīng)設(shè)置一個(gè)所述有源器件，以形成CUP結(jié)構(gòu)；其特征在于，

所有的所述CUP結(jié)構(gòu)中所述有源器件的柵極通過第一連接線路并聯(lián)接入一第一焊盤，源極通過第二連接線路并聯(lián)接入一第二焊盤，漏極通過第三連接線路并聯(lián)接入一第三焊盤，襯底通過第四連接線路并聯(lián)接入一第四焊盤，其中，所有的所述CUP結(jié)構(gòu)的金屬布線設(shè)置于所述晶圓的同一金屬層中。

2.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬焊盤的個(gè)數(shù)大于等于四，以使形成的所述CUP結(jié)構(gòu)的個(gè)數(shù)大于等于四。

3.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有源器件為MOS晶體管。

4.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一焊盤至所述第四焊盤設(shè)置于所述晶圓的頂層金屬層上，所述第一連接線路至所述第四連接線路通過所述CUP結(jié)構(gòu)的金屬布線與所述晶圓的各金屬層連接形成。

5.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬焊盤的材質(zhì)為鋁；和/或

所述第一焊盤至所述第四焊盤的材質(zhì)為鋁。

6.一種監(jiān)測(cè)探針針痕偏移的方法，其特征在于，基于如權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述方法包括：

提供一探針卡，所述探針卡上設(shè)置有多個(gè)探針；

將所述探針與所述第一至第四焊盤接觸，以量測(cè)并聯(lián)的所述有源器件的飽和電流；

將一監(jiān)測(cè)統(tǒng)計(jì)單元與所述多個(gè)探針連接，當(dāng)所述監(jiān)測(cè)統(tǒng)計(jì)單元接收到的所述飽和電流小于閾值時(shí)，判斷所述探針發(fā)生偏移。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述閾值為并聯(lián)的所述有源器件的飽和電流閾值。

8.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述探針的個(gè)數(shù)與所述金屬焊盤的個(gè)數(shù)相同。

9.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述監(jiān)測(cè)統(tǒng)計(jì)單元為統(tǒng)計(jì)過程控制系統(tǒng)。