[發明專利]一種GaN基發光二極管外延片的生長方法有效
| 申請號： | 201611190103.4 | 申請日： | 2016-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN106711297B | 公開（公告）日： | 2019-05-14 |
| 發明（設計）人： | 李紅麗;胡加輝 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金華市義*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 生長 壘層 載氣 應力釋放層 混合氣體 超晶格 外延片 阱層 半導體技術領域 未摻雜GaN層 多量子阱層 抗靜電能力 測試條件 交替層疊 外延生長 緩沖層 襯底 芯片 | ||
1.一種GaN基發光二極管外延片的生長方法，其特征在于，所述生長方法包括：
在襯底上依次外延生長緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、應力釋放層、多量子阱層、P型電子阻擋層、P型GaN層；
其中，所述應力釋放層包括依次生長的第一GaN壘層、由交替層疊的InGaN層和GaN層組成的超晶格阱層、第二GaN壘層，所述第一GaN壘層生長采用的載氣為純凈的N2或者H2和N2的混合氣體，所述超晶格阱層生長采用的載氣為純凈的N2，所述第二GaN壘層生長采用的載氣為H2和N2的混合氣體；所述第一GaN壘層生長采用的H2和N2的混合氣體中，H2和N2的流量比為1:4～1:10；所述第二GaN壘層生長采用的H2和N2的混合氣體中，H2和N2的流量比為1:4～1:7。
2.根據權利要求1所述的生長方法，其特征在于，所述第二GaN壘層的厚度大于所述第一GaN壘層的厚度。
3.根據權利要求1或2所述的生長方法，其特征在于，所述第二GaN壘層的厚度為800～1600nm。
4.根據權利要求1或2所述的生長方法，其特征在于，所述第一GaN壘層、所述超晶格阱層、所述第二GaN壘層中均摻有Si。
5.根據權利要求4所述的生長方法，其特征在于，所述超晶格阱層中Si的摻雜濃度為所述第一GaN壘層中Si的摻雜濃度的1/10。
6.根據權利要求4所述的生長方法，其特征在于，所述第二GaN壘層中Si的摻雜濃度大于所述超晶格阱層中Si的摻雜濃度。
7.根據權利要求4所述的生長方法，其特征在于，所述第二GaN壘層中Si的摻雜濃度與所述第一GaN壘層中Si的摻雜濃度不同。
8.根據權利要求1或2所述的生長方法，其特征在于，所述應力釋放層的生長溫度為900～1050℃。
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