[發明專利]高純度二氧化硅的制備方法在審
| 申請號： | 201611188310.6 | 申請日： | 2016-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN108203096A | 公開（公告）日： | 2018-06-26 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 青島祥智電子技術有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/12 | 分類號： | C01B33/12 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 266100 山東省青島*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高純度二氧化硅 氟硅酸銨 高純度 制備 氨水 二氧化硅沉淀 二氧化硅粉體 四氟化硅氣體 操作工藝 固液分離 生產過程 四氟化硅 無污染物 原料成本 蒸發結晶 氟化銨 硅藻土 熱分解 粉體 高純 洗滌 沉淀 過濾 | ||
【權利要求書】：
1.一種高純度二氧化硅的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
1)硅藻土和氟化銨水溶液在80～90℃下反應生成氟硅酸銨溶液和氨氣，所述氟硅酸銨溶液經過濾和高速離心后除去雜質，實現初步提純；所述氨氣經純水吸收，制成高純氨水；
2)將初步提純后的氟硅酸銨溶液經過多次蒸發結晶，通過固液分離進行二次提純，然后通過洗滌得到高純度氟硅酸銨固體；
3)將所述高純度氟硅酸銨固體加熱到100～150℃，使其分解生成四氟化硅氣體和氟化銨氣體；
4)將所述四氟化硅和氟化銨氣體導入到反應設備中，使其與高純氨水進行氨解反應，生成二氧化硅沉淀；
5)將所述二氧化硅沉淀通過高速離心脫水、洗滌和真空干燥，得到純度大于6N的高純度二氧化硅粉體。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：在步驟2)中，將所述提純后的氟硅酸銨溶液放入三效蒸發結晶器中，經過三次蒸發結晶實現固液分離。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：在步驟3)中，將所述高純度氟硅酸銨固體放入熱分解反應器中加熱分解。
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