[發(fā)明專利]一種電平轉(zhuǎn)換電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611187928.0
• 申請日: 2016-12-20
• 公開（公告）號: CN106849937B
• 公開（公告）日: 2023-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張寶君
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市紫光同創(chuàng)電子有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185
• 代理公司: 深圳國新南方知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44374
• 代理人: 姜宇

1.一種電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，包括：并聯(lián)的第一支路和第二支路；所述第一支路包括依次串聯(lián)于第一高電平電源與地線之間的第一上拉開關(guān)單元和第一下拉開關(guān)單元，所述第一上拉開關(guān)單元和第一下拉開關(guān)單元之間存在第一連接點(diǎn)；所述第二支路包括依次串聯(lián)于第一高電平電源與地線之間的第二上拉開關(guān)單元和第二下拉開關(guān)單元，所述第二上拉開關(guān)單元和第二下拉開關(guān)單元之間存在第二連接點(diǎn)；輸出端通過所述第一連接點(diǎn)和/或第二連接點(diǎn)引出；

各所述上拉和下拉開關(guān)單元均包括檢測子單元和開關(guān)子單元；所述第一下拉開關(guān)單元和第二下拉開關(guān)單元的檢測子單元分別與第一電平輸入端和第二電平輸入端連接，分別用于在檢測到輸入的電平為第二高電平時，控制對應(yīng)的開關(guān)子單元閉合；所述第一電平輸入端和第二電平輸入端輸入的電平相反；

所述第一上拉開關(guān)單元的檢測子單元用于在檢測到第二連接點(diǎn)的電平為接地電平時，控制對應(yīng)開關(guān)子單元閉合；所述第二上拉開關(guān)單元的檢測子單元用于在檢測到第一連接點(diǎn)的電平為接地電平時，控制對應(yīng)開關(guān)子單元閉合；

所述電平轉(zhuǎn)換電路還包括反相器，所述第一電平輸入端通過所述反相器向所述第二下拉開關(guān)單元的檢測子單元輸入電平；

還包括四個電壓輔助拉伸單元，其中兩個電壓輔助拉伸單元分別與所述第一下拉開關(guān)單元和第二下拉開關(guān)單元并聯(lián)，所述兩個電壓輔助拉伸單元分別為兩個NMOS晶體管；另外兩個電壓輔助拉伸單元分別與所述第一上拉開關(guān)單元和第二上拉開關(guān)單元并聯(lián)，所述另外兩個電壓輔助拉伸單元分別為兩個PMOS晶體管，所述電壓輔助拉伸單元用于輔助第一下拉開關(guān)單元和第二下拉開關(guān)單元下拉電路電壓，和/或輔助第一上拉開關(guān)單元和第二上拉開關(guān)單元上拉電路電壓；其中：

所述兩個NMOS晶體管中的第一NMOS晶體管的漏極與所述第一連接點(diǎn)連接，源極與所述反相器的輸出端連接；所述兩個NMOS晶體管中的第二NMOS晶體管的漏極與所述第二連接點(diǎn)連接，源極與所述第一電平輸入端連接；所述第一NMOS晶體管和所述第二NMOS晶體管的柵極均與第二高電平電源連接；

所述兩個PMOS晶體管中的第一PMOS晶體管的漏極與所述第一連接點(diǎn)連接；所述兩個PMOS晶體管中的第二PMOS晶體管的漏極與所述第二連接點(diǎn)連接；所述第一PMOS晶體管和所述第二PMOS晶體管的源極均與所述第一高電平電源連接，柵極均接地。