[發(fā)明專利]包含角部凹陷的半導體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611187693.5
• 申請日: 2016-12-20
• 公開（公告）號: CN108206161B
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發(fā)明（設計）人: 張杭;王偉利;嚴俊榮;莫金理;陳治強;陳昌恩;田鑫
• 申請（專利權）人: 晟碟半導體（上海）有限公司;晟碟信息科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L21/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

公開了一種半導體裸芯，其包含角部凹陷，以避免制造過程中半導體裸芯破裂。在從晶片切片半導體裸芯之前，可以在晶片中、半導體裸芯的任意對之間的角部處形成凹陷。可以通過激光或光刻工藝在半導體裸芯之間的切口區(qū)域中形成凹陷。一經(jīng)形成，角部凹陷防止半導體裸芯的破裂或損壞，否則，由于在背面研磨工藝期間相鄰的半導體裸芯相對于彼此移動，該破裂或損壞可能發(fā)生在相鄰的半導體裸芯的角部。

技術領域

本技術的示例涉及包含角部凹陷的半導體裝置。

背景技術

對于便攜消費級電子產(chǎn)品的需求的強勁增長驅動了對大容量存儲裝置的需求。非易失性半導體存儲器裝置(比如閃存存儲卡)被廣泛使用，以迎合信息存儲和交換的日益增長的需求。其便攜性、多功能性以及堅固的設計，連同其高可靠性以及大容量，已經(jīng)使得這樣的存儲器裝置理想地應用于多種多樣的電子裝置，包含例如數(shù)碼相機、數(shù)字音樂播放器、視頻游戲控制器、PDA以及移動電話。

半導體存儲器典型地被提供在半導體封裝體內，半導體封裝體保護半導體存儲器，并且允許存儲器與主機裝置之間的通信。半導體封裝體的示例包含系統(tǒng)級封裝(SiP)或多芯片模塊(MCM)，其中多個裸芯被安裝和互連在小足印(footprint)的基板上。

半導體裸芯典型地在半導體晶片中一起批量加工。集成電路一經(jīng)被限定在單獨的裸芯上，裸芯被從晶片切片并移除，用于安裝在封裝體內。研磨之前的隱形切片(本文中有時稱為“SDBG”)是新興的切片技術，其中激光脈沖以行和列聚焦在晶片的頂部表面和底部表面上，限定單獨的半導體裸芯的輪廓。后續(xù)的機械擾動(比如發(fā)生在晶片背面研磨工藝期間)，導致晶片沿著限定半導體裸芯輪廓的行和列干凈地斷裂。

盡管SDBG提供一定的工藝效率，SDBG具有一個缺點，其可能導致單獨的半導體裸芯角部處的破裂。特別地，在機械背面研磨工藝期間，其中研磨輪經(jīng)過已經(jīng)分離的單獨的半導體裸芯之上，裸芯可能彼此碰撞，有時導致角部處的剝落或破裂。盡管在背面研磨工藝期間，裸芯被安裝在帶上，帶允許裸芯之間的小尺寸移動，并且此小移動可能足以導致上述的剝落和破裂。

發(fā)明內容

概括起來，本技術的示例涉及一種半導體晶片，其包含：第一主表面；與第一主表面相反的第二主表面；多個半導體裸芯，其包含在晶片的第一主表面中、半導體裸芯的有源區(qū)域中形成的集成電路；切口區(qū)域，其包含圍繞多個半導體裸芯的有源區(qū)域的切口線的第一集和第二集；以及多個角部凹陷，其形成在晶片的第一主表面中、在切口線的第一集和第二集的交點處。

在其他示例中，本技術涉及一種由半導體晶片形成的半導體裸芯，半導體裸芯包含：第一主表面；與第一主表面相反的第二主表面，第二主表面包括有源區(qū)域和邊界；包含集成電路的有源區(qū)域；以及一個或多個凹陷部分，其形成在邊界內、以及半導體裸芯的面的交會處的一個或多個角部處，提供一個或多個凹陷部分以避免損壞有源區(qū)域內的半導體裸芯。

在其他示例中，本技術涉及一種半導體封裝體，包含：兩個或更多個堆疊的存儲器裸芯，堆疊的存儲器裸芯的半導體裸芯包含：第一主表面；與第一主表面相反的第二主表面；包含集成電路的有源區(qū)域，集成電路形成在第一主表面處；邊界，圍繞有源區(qū)域，不含集成電路；以及一個或多個凹陷部分，其形成在邊界內、以及半導體裸芯的面的交會處的一個或多個角部處，提供一個或多個凹陷部分，以防止損壞有源區(qū)域內的半導體裸芯；以及電連接到堆疊的存儲器裸芯的控制器裸芯，用于將數(shù)據(jù)傳輸?shù)酱鎯ζ髀阈镜亩询B體，和從存儲器裸芯的堆疊體傳輸數(shù)據(jù)。

在另一示例中，本技術涉及一種在晶片內制造多個半導體裸芯的方法，方法包含：(a)在晶片上限定多個半導體裸芯的位置；(b)在晶片的第一主表面處、以及在多個半導體裸芯的有源區(qū)域內形成多個集成電路；(c)在有源區(qū)域之間的界線處、以及相鄰的有源區(qū)域之間的角部處形成多個凹陷；(d)切片多個半導體裸芯，以將多個半導體裸芯從晶片至少部分地分離，多個凹陷中的凹陷的一部分位于多個半導體裸芯中的半導體裸芯的角部；以及(e)背面研磨多個半導體裸芯，半導體裸芯的角部處的凹陷的一部分防止其他半導體裸芯接觸半導體裸芯的角部。