[發明專利]包含角部凹陷的半導體裝置

有效

• 申請號: 201611187693.5
• 申請日: 2016-12-20
• 公開（公告）號: CN108206161B
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 張杭;王偉利;嚴俊榮;莫金理;陳治強;陳昌恩;田鑫
• 申請（專利權）人: 晟碟半導體（上海）有限公司;晟碟信息科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L21/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種半導體晶片，包含：

第一主表面；

第二主表面，所述第二主表面與所述第一主表面相反；

多個半導體裸芯，所述多個半導體裸芯包含形成在所述晶片的所述第一主表面中、所述半導體裸芯的有源區域中的集成電路；

切口區域，所述切口區域包含切口線的第一集和第二集，所述切口線圍繞所述多個半導體裸芯的所述有源區域；以及

多個角部凹陷，所述多個角部凹陷形成在所述晶片的所述第一主表面中、位于所述切口線的第一集和第二集的交點處，

其中所述多個角部凹陷中的至少一個角部凹陷形成為一深度，在所述半導體晶片被減薄為其最終厚度之后，所述深度小于所述半導體晶片的厚度。

2.如權利要求1所述的半導體晶片，其中將所述多個半導體裸芯彼此切片時，所述角部凹陷的一部分留在多個相鄰的所述半導體裸芯中。

3.如權利要求2所述的半導體晶片，其中在所述半導體裸芯的切片之后，以及將所述半導體裸芯固定到半導體封裝體內之前，所述半導體裸芯中的所述角部凹陷的所述一部分防止損壞所述半導體裸芯的角部。

4.如權利要求1所述的半導體晶片，其中所述多個角部凹陷中的角部凹陷設置在所述切口線的第一集和第二集的第一切口線和第二切口線的交點內，所述角部凹陷的區域小于由所述第一切口線和第二切口線的所述交點限定的交點區域。

5.如權利要求1所述的半導體晶片，其中所述多個角部凹陷中的角部凹陷設置在所述切口線的第一集和第二集的第一切口線和第二切口線的交點內，所述角部凹陷的區域大約等于由所述第一切口線和第二切口線的所述交點限定的區域。

6.如權利要求1所述的半導體晶片，其中所述多個角部凹陷中的角部凹陷具有正方形形狀和圓形形狀中的一個。

7.一種由半導體晶片形成的半導體裸芯，所述半導體裸芯包含：

第一主表面；

第二主表面，所述第二主表面與所述第一主表面相反；其中第二主表面包括有源區域和邊界；

有源區域，所述有源區域包含集成電路；以及

一個或多個凹陷部分，所述一個或多個凹陷部分形成在所述邊界處的不包括所述有源區域的無源區域內，以及在所述半導體裸芯的面交會處的一個或多個角部處，所述一個或多個凹陷部分設置為以防止損壞所述有源區域內的所述半導體裸芯，

其中所述一個或多個凹陷部分形成為一深度，所述深度小于所述半導體裸芯的厚度。

8.如權利要求7所述的半導體裸芯，其中所述一個或多個凹陷部分包含位于所述半導體裸芯的四個角部處的四個凹陷部分。

9.如權利要求7所述的半導體裸芯，其中所述半導體裸芯是閃存存儲器半導體裸芯。

10.一種半導體封裝體，包含：

兩個或更多個堆疊的存儲器裸芯，所述堆疊的存儲器裸芯中的半導體裸芯包含：

第一主表面，

第二主表面，所述第二主表面與所述第一主表面相反，

有源區域，所述有源區域包含集成電路，所述集成電路形成在所述第一主表面處，

邊界，所述邊界圍繞所述有源區域，形成不含集成電路的無源區域，以及

一個或多個凹陷部分，所述一個或多個凹陷部分形成在所述無源區域內，以及在所述半導體裸芯的面的交會處的一個或多個角部處，所述一個或多個凹陷部分設置為防止損壞所述有源區域內的所述半導體裸芯；以及

控制器裸芯，所述控制器裸芯電連接到所述堆疊的存儲器裸芯，用于控制將數據傳輸到所述堆疊的存儲器裸芯，和從所述堆疊的存儲器裸芯傳輸數據，

其中所述一個或多個凹陷部分形成為一深度，所述深度小于所述半導體裸芯的厚度。

11.如權利要求10所述的半導體封裝體，其中所述一個或多個凹陷部分包含位于所述半導體裸芯的四個角部處的四個凹陷部分。