[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示面板

有效

• 申請號: 201611187614.0
• 申請日: 2016-12-20
• 公開（公告）號: CN106707638B
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 齊璞玉;鐘彩嬌;伍黃堯
• 申請（專利權）人: 廈門天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1333;H01L27/32
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

本發明實施例公開了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板，該陣列基板包括：第一基板；位于第一基板第一側的多條掃描線；覆蓋掃描線的第一絕緣層；位于第一絕緣層背離掃描線一側的多條數據線，多條數據線與多條掃描線交叉設置限定出多個子像素區域，子像素區域包括開口區和包圍開口區的遮光區；其中，第一絕緣層對應遮光區的部分為包括至少一層氧化硅層和至少一層氮化硅層的堆疊結構，第一絕緣層對應開口區的部分為包括至少一層氧化硅層的氧化硅層結構，該陣列基板制成顯示面板時，可避免由于氮化硅層的刻蝕過程難以控制而導致各子像素區域中開口區的第一絕緣層厚度不均現象，從而緩解色偏現象，提高顯示質量，同時提高顯示亮度。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板、包括該陣列基板的顯示面板以及一種陣列基板的制作方法。

背景技術

隨著顯示技術的發展，顯示面板的應用越來越廣泛，已逐漸成為人們生活和工作必不可少的重要工具。

目前顯示面板通常包括：交叉且絕緣設置的多條數據線和多條掃描線，多條數據線和多條掃描線限定出多個子像素區域；位于所述數據線和所述掃描線之間的層間絕緣層；與各子像素區域一一對應的薄膜晶體管，其中，薄膜晶體管的柵極與掃描線電連接，源極與數據線電連接，從而使得該薄膜晶體管可以在掃描線的控制下，將數據線中的信號傳輸給各子像素，控制各子像素區域的顯示。

需要說明的是，為了保證數據線和掃描線之間的良好電絕緣性，現有顯示面板中，該層間絕緣層通常包括氮化硅層，具體制作時，主要是通過先形成一較厚的氮化硅層，再通過刻蝕將該氮化硅層刻蝕至預設厚度，但是，由于氮化硅層的刻蝕速率較快，使得其刻蝕過程難以精確控制，從而導致各子像素處的層間絕緣層厚度不均，造成在同一背光下，各子像素的顯示顏色不完全相同，使得所述顯示面板存在色偏現象，顯示質量有待提高。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明實施例提供了一種陣列基板及包括該陣列基板的顯示面板，以改善該顯示面板的色偏現象，提高顯示質量。

為解決上述問題，本發明實施例提供了如下技術方案：

一種陣列基板，包括：

第一基板；

位于所述第一基板第一側的多條掃描線；

覆蓋所述掃描線的第一絕緣層；

位于所述第一絕緣層背離所述掃描線一側的多條數據線，所述多條數據線與所述多條掃描線交叉設置限定出多個子像素區域，所述子像素區域包括開口區和包圍所述開口區的遮光區；

其中，所述第一絕緣層對應所述遮光區的部分為包括至少一層氧化硅層和至少一層氮化硅層的堆疊結構，所述第一絕緣層對應所述開口區的部分為包括至少一層氧化硅層的氧化硅層結構。

可選的，所述第一絕緣層對應所述遮光區的部分包括一層所述氧化硅層和一層所述氮化硅層；所述第一絕緣層對應所述開口區的部分包括一層所述氧化硅層。

可選的，所述第一絕緣層對應所述遮光區的部分包括兩層所述氧化硅層和位于所述兩層所述氧化硅層之間的一層所述氮化硅層；所述第一絕緣層對應所述開口區的部分包括兩層所述氧化硅層。

可選的，所述第一絕緣層對應所述遮光區的部分包括兩層所述氮化硅層和位于所述兩層所述氮化硅層之間的一層所述氧化硅層；所述第一絕緣層對應所述開口區的部分包括一層所述氧化硅層。

可選的，所述第一絕緣層各處的厚度取值范圍為300-900nm，包括端點值；一層所述氧化硅層的厚度取值范圍為100-600nm，包括端點值；一層所述氮化硅層的厚度取值范圍為100-600nm，包括端點值。

可選的，所述陣列基板還包括：