[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示面板

有效

• 申請號: 201611187614.0
• 申請日: 2016-12-20
• 公開（公告）號: CN106707638B
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 齊璞玉;鐘彩嬌;伍黃堯
• 申請（專利權）人: 廈門天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1333;H01L27/32
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

第一基板；

位于所述第一基板第一側的多條掃描線；

覆蓋所述掃描線的第一絕緣層；

位于所述第一絕緣層背離所述掃描線一側的多條數據線，所述多條數據線與所述多條掃描線交叉設置限定出多個子像素區域，所述子像素區域包括開口區和包圍所述開口區的遮光區；

其中，所述第一絕緣層對應所述遮光區的部分為包括至少一層氧化硅層和至少一層氮化硅層的堆疊結構，所述第一絕緣層對應所述開口區的部分為包括至少一層氧化硅層的氧化硅層結構，以通過去除掉所述第一絕緣層中對應所述子像素區域開口區部分的氮化硅層，來避免由于氮化硅層的刻蝕過程難以控制而導致各子像素區域中開口區的第一絕緣層厚度不均現象，從而緩解各子像素區域因其對應部分的第一絕緣層厚度不均而造成的色偏現象。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層對應所述遮光區的部分包括一層所述氧化硅層和一層所述氮化硅層；所述第一絕緣層對應所述開口區的部分包括一層所述氧化硅層。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層對應所述遮光區的部分包括兩層所述氧化硅層和位于所述兩層所述氧化硅層之間的一層所述氮化硅層；所述第一絕緣層對應所述開口區的部分包括兩層所述氧化硅層。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層對應所述遮光區的部分包括兩層所述氮化硅層和位于所述兩層所述氮化硅層之間的一層所述氧化硅層；所述第一絕緣層對應所述開口區的部分包括一層所述氧化硅層。

5.根據權利要求1-4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層各處的厚度取值范圍為300-900nm，包括端點值；一層所述氧化硅層的厚度取值范圍為100-600nm，包括端點值；一層所述氮化硅層的厚度取值范圍為100-600nm，包括端點值。

6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

位于所述第一基板第一側，與所述子像素區域一一對應且位于所述子像素區域內的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、與所述柵極相絕緣的源極、漏極以及連接所述源極和所述漏極的有源層，其中，所述柵極與所述掃描線位于同一層且電連接，所述源極與所述數據線電連接，所述漏極與其對應子像素區域的像素電極電連接；且所述源極、所述漏極與所述數據線位于同一層，所述源極通過第一過孔與所述有源層電連接，所述漏極通過第二過孔與所述有源層電連接。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層位于所述掃描線背離所述數據線一側。

8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層包括：與所述源極電連接的源區、與所述漏極電連接的漏區，以及位于所述源區和所述漏區之間的溝道區；

所述陣列基板還包括：位于所述掃描線朝向所述第一基板一側的遮光結構，以及位于所述遮光結構與所述掃描線之間的緩沖層，其中，所述遮光結構在所述第一基板上的投影至少覆蓋所述溝道區在所述第一基板上的投影。

9.一種顯示面板，其特征在于，包括：權利要求1-8任一項所述的陣列基板，與所述陣列基板相對設置的第二基板。