[發(fā)明專(zhuān)利]電路板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611186918.5
• 申請(qǐng)日: 2016-12-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108076586B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃振宏;林賢杰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南亞電路板股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H05K1/11
• 分類(lèi)號(hào): H05K1/11;H05K3/42
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

1.一種電路板，包括：

一基板；

一金屬層，位于該基板的一表面上；

一導(dǎo)電層，位于該金屬層上，包括一第一導(dǎo)電層及一第二導(dǎo)電層；以及

多個(gè)通孔，包括一密集區(qū)及一疏松區(qū)，貫穿該導(dǎo)電層、該金屬層、及該基板，

其中該導(dǎo)電層具有一平坦的上表面，且該第一導(dǎo)電層及該第二導(dǎo)電層的鄰接處存在一界面；

其中該第一導(dǎo)電層及該第二導(dǎo)電層皆位于該金屬層上，第一導(dǎo)電層位于所述多個(gè)通孔的該密集區(qū)，而該第二導(dǎo)電層位于所述多個(gè)通孔的該疏松區(qū)；或者，

該第一導(dǎo)電層及該第二導(dǎo)電層皆位于該金屬層上，且該第一導(dǎo)電層位于所述多個(gè)通孔的該疏松區(qū)及密集區(qū)，而該第二導(dǎo)電層位于所述多個(gè)通孔的該密集區(qū)，該第二導(dǎo)電層覆蓋部分該第一導(dǎo)電層。

2.如權(quán)利要求1所述的電路板，其中該第一導(dǎo)電層及該第二導(dǎo)電層可由相同或不同的導(dǎo)電材料組成。

3.如權(quán)利要求1所述的電路板，其中該界面為一凹陷界面，且該第一導(dǎo)電層的剖面輪廓為一凹狀，而該第二導(dǎo)電層的剖面輪廓為一凸?fàn)睢?/p>

4.如權(quán)利要求1所述的電路板，其中該界面為一垂直界面。

5.一種電路板的制造方法，包括：

在一基板的一表面上形成一金屬層；

形成多個(gè)通孔貫穿該金屬層及該基板，其中所述多個(gè)通孔包括一密集區(qū)和一疏松區(qū)；

進(jìn)行一第一電鍍，以在該金屬層上和所述多個(gè)通孔中形成一第一導(dǎo)電層，其中該第一導(dǎo)電層包括一凹陷區(qū)對(duì)應(yīng)于該密集區(qū)；

在該第一導(dǎo)電層上形成一遮蔽層；

在該遮蔽層中形成一開(kāi)口，暴露出該第一導(dǎo)電層的該凹陷區(qū)；

進(jìn)行一第二電鍍，以在該開(kāi)口中形成一第二導(dǎo)電層，覆蓋該第一導(dǎo)電層；

移除該遮蔽層；

在所述多個(gè)通孔中形成一填充物；以及

進(jìn)行一平坦化制程，以移除部分的該第一導(dǎo)電層及部分的該第二導(dǎo)電層。

6.如權(quán)利要求5所述的電路板的制造方法，還包括：

在進(jìn)行該第一電鍍之前，順應(yīng)性形成一晶種層于該金屬層上及所述多個(gè)通孔中。

7.如權(quán)利要求5所述的電路板的制造方法，其中該遮蔽層為一光致抗蝕劑層。

8.如權(quán)利要求5所述的電路板的制造方法，其中該凹陷區(qū)的高度由兩旁向中央遞減。

9.一種電路板的制造方法，包括：

在一基板的一表面上形成一金屬層；

形成多個(gè)通孔貫穿該金屬層及該基板，其中所述多個(gè)通孔包括一密集區(qū)和一疏松區(qū)；

在該金屬層上形成一遮蔽層；

在該遮蔽層中形成一開(kāi)口，暴露出部分的該金屬層及該密集區(qū)；

進(jìn)行一第一電鍍，以在該開(kāi)口中形成一第一導(dǎo)電層；

移除該遮蔽層；

進(jìn)行一第二電鍍，以形成一第二導(dǎo)電層覆蓋該第一導(dǎo)電層及該金屬層，且該第二導(dǎo)電層位于所述多個(gè)通孔中；

在所述多個(gè)通孔中形成一填充物；以及

進(jìn)行一平坦化制程，以移除部分的該第一導(dǎo)電層及部分的該第二導(dǎo)電層。

10.如權(quán)利要求9所述的電路板的制造方法，還包括：

在該金屬層上形成該遮蔽層之前，順應(yīng)性形成一晶種層于該金屬層上及所述多個(gè)通孔中。

11.如權(quán)利要求9所述的電路板的制造方法，其中該遮蔽層為一光致抗蝕劑層。

12.如權(quán)利要求9所述的電路板的制造方法，其中進(jìn)行該平坦化制程之后，該第一導(dǎo)電層及該第二導(dǎo)電層的鄰接處存在一垂直界面。