[發(fā)明專利]晶體振蕩器及其生產(chǎn)方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611184165.4
• 申請(qǐng)日: 2016-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN106712737A
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王巍巍;邱文才;周柏雄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東大普通信技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H03H9/10
• 分類號(hào): H03H9/10;H03H9/19;H03H3/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 張海英,林波

1.一種晶體振蕩器，包括補(bǔ)償電路、晶片和基座，其特征在于，

還包括封裝腔體，所述晶片設(shè)置在所述封裝腔體內(nèi)；

所述封裝腔體的下表面與所述基座貼合，所述封裝腔體的上表面與所述補(bǔ)償電路貼合；

所述晶片與所述基座電氣連接；

所述補(bǔ)償電路與所述基座電氣連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述封裝腔體的上表面設(shè)有第一電氣連接部，所述第一電氣連接部與所述基座通過鍵合線電氣連接；所述第一電氣連接部還與所述晶片電氣連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述補(bǔ)償電路上設(shè)有第二電氣連接部，所述第二電氣連接部位于所述補(bǔ)償電路遠(yuǎn)離所述封裝腔體的一側(cè)，與所述基座通過鍵合線電氣連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述封裝腔體的材料為陶瓷。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體振蕩器，其特征在于，還包括上蓋，所述基座的中部設(shè)有第一凹槽，所述上蓋的下表面與所述第一凹槽的槽底貼合。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述第一凹槽的槽底還設(shè)有第二凹槽，所述第二凹槽的開口面積小于所述第一凹槽的開口面積，所述封裝腔體和補(bǔ)償電路設(shè)置在所述第二凹槽中。

7.一種晶體振蕩器的生產(chǎn)方法，其特征在于，包括：

S10：用封裝腔體將晶片進(jìn)行封裝；

S20：將所述封裝腔體的下表面與基座進(jìn)行連接；

S30：將補(bǔ)償電路與所述封裝腔體進(jìn)行連接；

S40：通過鍵合線將晶片與基座電氣連接；通過鍵合線將補(bǔ)償電路與基座電氣連接；

S50：將上蓋與基座連接，完成封裝。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶體振蕩器的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述S20具體為：通過點(diǎn)膠的方式將所述封裝腔體的下表面與基座進(jìn)行連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶體振蕩器的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述S30具體為：將補(bǔ)償電路上遠(yuǎn)離其第二電氣連接部的一側(cè)與封裝腔體的上表面進(jìn)行連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶體振蕩器的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述S40和S50之間還包括：

S41：對(duì)晶片與基座之間的電氣連接和補(bǔ)償電路與基座之間的電氣連接進(jìn)行檢測(cè)。