[發明專利]可重構多層全息天線異質Ge基pin二極管的制備工藝

在審

• 申請號: 201611183924.5
• 申請日: 2016-12-20
• 公開（公告）號: CN106783594A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 尹曉雪;張亮
• 申請（專利權）人: 西安科銳盛創新科技有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L21/04;H01Q23/00;H01Q7/00;H01Q1/38
• 代理公司: 西安智萃知識產權代理有限公司61221
• 代理人: 劉長春

技術領域

本發明涉及天線技術領域，特別涉及一種可重構多層全息天線異質Ge基pin二極管的制備工藝。

背景技術

天線為無線通信領域的基本組成部件，用來輻射和接收無線電波。隨著現代通信技術的迅猛發展，在天線領域誕生了許多新的技術手段。全息天線具有剖面低、易于共形，而且能夠引導電磁波的傳播，引起了國內外學者的關注和研究。全息天線是利用全息結構改變源天線輻射特性，以獲得目標天線輻射特性的一種口徑天線。全息天線可以根據不同的應用環境選擇全息結構中的不同部分，實現天線與使用背景的一體化，在避免高損耗饋電結構的同時，使整體結構較為簡單，從而突破了結構輪廓對天線應用的限制，同時更具有隱蔽性。

隨著通信系統平臺上的負載數量的上升，負載重量不斷增加，因此搭建天線所需的費用不斷上升，同時，各天線之間的電磁干擾也非常大，嚴重影響系統正常工作。為了減輕平臺負載的天線重量、降低成本、減小平臺的雷達散射界面、實現良好的電磁兼容等特性，采用可重構天線技術，實現用一個天線實現多個天線的功能。可重構天線按功能可分為頻率可重構天線(包括實現寬頻帶和實現多頻帶)、方向圖可重構天線、極化可重構天線和多電磁參數可重構天線。通過改變可重構天線的結構可以使天線的頻率、波瓣圖、極化方式等多種參數中的一種或幾種實現重構。

因此，如何制作一種可重構的全息天線就變得極其重要。

發明內容

因此，為解決現有技術存在的技術缺陷和不足，本發明提出一種可重構多層全息天線異質Ge基pin二極管的制備工藝。

具體地，本發明提出的一種可重構多層全息天線異質Ge基pin二極管的制備工藝，該可重構多層全息天線包括：半導體基片(11)、天線模塊(13)、第一全息圓環(15)及第二全息圓環(17)；所述天線模塊(13)、所述第一全息圓環(15)及所述第二全息圓環(17)均采用半導體工藝制作于所述半導體基片(11)上；

其中，所述天線模塊(13)、所述第一全息圓環(15)及所述第二全息圓環(17)均包括依次串接的異質Ge基pin二極管串(W1、W2、W3、W4、W5、W6、W7、W8)；

其中，所述異質Ge基pin二極管的制備工藝包括步驟：

選取某一晶向的GeOI襯底；

在所述GeOI襯底內刻蝕得到隔離槽形成隔離區；

刻蝕所述GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽；

填充所述P型溝槽和所述N型溝槽，采用離子注入在所述P型溝槽內和所述N型溝槽內形成P型有源區、N型有源區、P型接觸區和N型接觸區；

在所述P接觸區和所述N接觸區光刻引線孔形成引線，完成所述異質Ge基pin二極管的制備。

在本發明提供的一種可重構多層全息天線異質Ge基pin二極管的制備工藝中，在所述GeOI襯底內刻蝕得到隔離槽形成隔離區，包括：

在所述GeOI襯底表面生成二氧化硅以形成第一二氧化硅層；

在所述第一二氧化硅層表面生成氮化硅以形成第一氮化硅層；

利用光刻工藝在所述第一氮化硅層上形成第一隔離區圖形；

利用干法刻蝕工藝在所述第一隔離區圖形的指定位置處刻蝕所述第一保護層及所述GeOI襯底以形成隔離槽，且所述隔離槽的深度大于等于所述GeOI襯底的頂層Ge的厚度；

填充所述隔離槽以形成所述異質Ge基等離子pin二極管的所述隔離區。

在本發明提供的一種可重構多層全息天線異質Ge基pin二極管的制備工藝中，刻蝕所述GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽，包括：

在所述GeOI襯底表面生成二氧化硅以形成第二二氧化硅層；

在所述第二二氧化硅層表面生成氮化硅以形成第二氮化硅層；

利用光刻工藝在所述第二氮化硅層上形成第二隔離區圖形；

利用干法刻蝕工藝在所述第二隔離區圖形的指定位置處刻蝕所述第二保護層及所述GeOI襯底以形成所述P型溝槽和所述N型溝槽。

在本發明提供的一種可重構多層全息天線異質Ge基pin二極管的制備工藝中，填充所述P型溝槽和所述N型溝槽，采用離子注入在所述P型溝槽內和所述N型溝槽內形成P型有源區、N型有源區、P型接觸區和N型接觸區，包括：

利用多晶硅填充所述P型溝槽和所述N型溝槽；

平整化處理所述GeOI襯底后，在所述GeOI襯底上形成多晶硅層；