[發明專利]可重構多層全息天線異質Ge基pin二極管的制備工藝

在審

• 申請號: 201611183924.5
• 申請日: 2016-12-20
• 公開（公告）號: CN106783594A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 尹曉雪;張亮
• 申請（專利權）人: 西安科銳盛創新科技有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L21/04;H01Q23/00;H01Q7/00;H01Q1/38
• 代理公司: 西安智萃知識產權代理有限公司61221
• 代理人: 劉長春

1.一種可重構多層全息天線異質Ge基pin二極管的制備工藝，其特征在于，所述可重構多層全息天線包括：半導體基片(11)、天線模塊(13)、第一全息圓環(15)及第二全息圓環(17)；所述天線模塊(13)、所述第一全息圓環(15)及所述第二全息圓環(17)均采用半導體工藝制作于所述半導體基片(11)上；

其中，所述天線模塊(13)、所述第一全息圓環(15)及所述第二全息圓環(17)均包括依次串接的異質Ge基pin二極管串；

其中，所述異質Ge基pin二極管的制備工藝包括步驟：

選取某一晶向的GeOI襯底；

在所述GeOI襯底內刻蝕得到隔離槽形成隔離區；

刻蝕所述GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽；

填充所述P型溝槽和所述N型溝槽，采用離子注入在所述P型溝槽內和所述N型溝槽內形成P型有源區、N型有源區、P型接觸區和N型接觸區；

在所述P接觸區和所述N接觸區光刻引線孔形成引線，完成所述異質Ge基pin二極管的制備。

2.如權利要求1所述的制備工藝，其特征在于，在所述GeOI襯底內刻蝕得到隔離槽形成隔離區，包括：

在所述GeOI襯底表面生成二氧化硅以形成第一二氧化硅層；

在所述第一二氧化硅層表面生成氮化硅以形成第一氮化硅層；

利用光刻工藝在所述第一氮化硅層上形成第一隔離區圖形；

利用干法刻蝕工藝在所述第一隔離區圖形的指定位置處刻蝕所述第一保護層及所述GeOI襯底以形成隔離槽，且所述隔離槽的深度大于等于所述GeOI襯底的頂層Ge的厚度；

填充所述隔離槽以形成所述異質Ge基等離子pin二極管的所述隔離區。

3.如權利要求1所述的制備工藝，其特征在于，刻蝕所述GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽，包括：

在所述GeOI襯底表面生成二氧化硅以形成第二二氧化硅層；

在所述第二二氧化硅層表面生成氮化硅以形成第二氮化硅層；

利用光刻工藝在所述第二氮化硅層上形成第二隔離區圖形；

利用干法刻蝕工藝在所述第二隔離區圖形的指定位置處刻蝕所述第二保護層及所述GeOI襯底以形成所述P型溝槽和所述N型溝槽。

4.如權利要求1所述的制備工藝，其特征在于，填充所述P型溝槽和所述N型溝槽，采用離子注入在所述P型溝槽內和所述N型溝槽內形成P型有源區、N型有源區、P型接觸區和N型接觸區，包括：

利用多晶硅填充所述P型溝槽和所述N型溝槽；

平整化處理所述GeOI襯底后，在所述GeOI襯底上形成多晶硅層；

光刻所述多晶硅層，并采用帶膠離子注入的方法對所述P型溝槽和所述N型溝槽所在位置分別注入P型雜質和N型雜質以形成P型有源區和N型有源區且同時形成P型接觸區和N型接觸區；

去除光刻膠；

利用濕法刻蝕去除所述P型接觸區和所述N型接觸區以外的所述多晶硅層。

5.如權利要求1所述的制備工藝，其特征在于，在所述P接觸區和所述N接觸區光刻引線孔形成引線，包括：

在所述GeOI襯底上生成二氧化硅；

利用退火工藝激活有源區中的雜質；

在所述P型接觸區和所述N型接觸區光刻引線孔以形成引線；

鈍化處理并光刻PAD以形成所述異質Ge基等離子pin二極管。