[發(fā)明專利]一種低損傷晶片減薄工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611183350.1
• 申請日: 2016-12-20
• 公開（公告）號: CN106601590A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬學(xué)亮;陳平;張華;王永存
• 申請（專利權(quán)）人: 上海電機學(xué)院
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海伯瑞杰知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司31227
• 代理人: 俞晨波

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及晶片減薄工藝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種低損傷晶片減薄工藝。

背景技術(shù)

非制冷紅外探測技術(shù)在工作過程中不需要制冷系統(tǒng)。非制冷的熱敏探測器具有成本低、工藝簡單、結(jié)構(gòu)緊湊等諸多優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于國防、工業(yè)、醫(yī)學(xué)和科學(xué)研究等領(lǐng)域，例如可用于安全監(jiān)視、工業(yè)生產(chǎn)監(jiān)控、紅外成像、車量輔助駕駛光譜分析等諸多方面。當(dāng)紅外輻射入射到非制冷紅外探測器上時，紅外輻射被探測器吸收而引起探測器溫度變化。非制冷紅外探測器自身熱容直接影響非制冷紅外探測器響應(yīng)率和探測率的大小，探測器的面積受限于實際應(yīng)用的需求不能任意減小，所以通過減小探測元的厚度來降低探測元的熱容和一種方法，即獲得薄探測晶片成為提高探測器性能的一種重要途徑，同是應(yīng)當(dāng)盡量降低減薄晶片帶來的表面損傷；

目前對于用于紅外探測器的PMNT熱釋電材料缺乏有效的低損傷減薄工藝。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種用于紅外探測器的PMNT熱釋電材料的低損傷減薄工藝，當(dāng)晶片減薄至幾十微米厚度時，減少晶片的表面損傷，保持晶片的完整性。

本發(fā)明為解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是，

一種低損傷晶片減薄工藝，所述PMNT晶片表面分別標(biāo)記為表面1與表面2，其工藝流程為：

1)PMNT晶片表面1的處理；

2)PMNT晶片表面2的處理；

3)PMNT晶片表面1與PMNT表面2的低損傷處理；

4)清洗：清洗去除氫氟酸緩沖液；

進一步的，所述PMNT晶片表面1的處理的具體步驟為：

進一步的，所述PMNT晶片表面2的處理的具體步驟為：

1)均勻升溫至57℃用粘結(jié)蠟將PMNT晶片的表面1粘貼在研磨基板上，自然冷卻至室溫；

2)采用顆粒為3μm的Al₂O₃和研磨墊對PMNT晶片表面2進行機械粗磨，使其減薄為厚度160μm±3μm；

3)采用顆粒為3μm的Al₂O₃和拋光墊對PMNT晶片表面2進行機械粗磨，使其減薄為厚度50μm±2μm；

4)采用顆粒為1μm的Al₂O₃和拋光墊對PMNT晶片表面2進行機械粗磨，使其減薄為厚度30μm±1μm；

5)均勻升溫至57℃熔化粘結(jié)蠟，將PMNT晶片的表面1從研磨基板取下上，自然冷卻至室溫；

6)清洗去粘結(jié)蠟；

進一步的，所述PMNT晶片表面1與PMNT晶片表面2的低損傷處理的具體步驟為采用氫氟酸緩沖液對PMNT晶片的表面1與表面2進行濕法腐蝕以去除缺陷和損傷，時間控制在于10min±30s；

本發(fā)明的優(yōu)點在于，

該種低損傷晶片減薄工藝通過將PMNT晶片分別標(biāo)記為表面1與表面2，然后進行處理，減少了晶片的表面損傷，保持了晶片的完整性。

附圖說明

圖1是本發(fā)明提出的低損傷晶片減薄工藝的流程示意圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明實現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合圖示與具體實施例，進一步闡述本發(fā)明。

如圖1所示，本發(fā)明提出的在基于(1-x)Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-xPbTiO₃(PMNT)材料的單元熱釋電探測器中，采用了本發(fā)明所提供的低損傷晶片減薄工藝，具體通過以下步驟實現(xiàn)：

(1)PMNT晶片表面1的處理

a.清洗<111>方向極化的PMNT晶片，厚度500μm±10μm；

b.均勻升溫至57℃用粘結(jié)蠟將PMNT晶片的表面2粘貼在研磨基板上，自然冷卻至室溫；

c.采用顆粒為3μm的Al₂O₃和研磨墊對PMNT晶片表面1進行機械粗磨，使其減薄為厚度400μm±3μm；

d.采用顆粒為3μm的Al₂O₃和拋光墊對PMNT晶片表面2進行機械拋光，使其減薄為厚度390μm，平整度優(yōu)于±2μm；

e.采用顆粒為1μm的Al₂O₃和拋光墊對PMNT晶片表面2進行機械拋光，使其減薄為厚度385μm，平整度優(yōu)于±1μm；