[發明專利]一種低損傷晶片減薄工藝

在審

• 申請號: 201611183350.1
• 申請日: 2016-12-20
• 公開（公告）號: CN106601590A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 馬學亮;陳平;張華;王永存
• 申請（專利權）人: 上海電機學院
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海伯瑞杰知識產權代理有限公司31227
• 代理人: 俞晨波

1.一種低損傷晶片減薄工藝，其特征在于：所述PMNT晶片表面分別標記為表面1與表面2，其工藝流程為：

1)PMNT晶片表面1的處理；

2)PMNT晶片表面2的處理；

3)PMNT晶片表面1與PMNT表面2的低損傷處理；

4)清洗：清洗去除氫氟酸緩沖液。

2.根據權利要求1所述的一種低損傷晶片減薄工藝，其特征在于：所述PMNT晶片表面1的處理的具體步驟為：

1)清洗<111>方向極化的PMNT晶片，厚度500μm±10μm；

2)均勻升溫至57℃用粘結蠟將PMNT晶片的表面2粘貼在研磨基板上，自然冷卻至室溫；

3)采用顆粒為3μm的Al₂O₃和研磨墊對PMNT晶片表面1進行機械粗磨，使其減薄為厚度400μm±3μm；

4)采用顆粒為3μm的Al₂O₃和拋光墊對PMNT晶片表面2進行機械拋光，使其減薄為厚度390μm，平整度優于±2μm；

5)采用顆粒為1μm的Al₂O₃和拋光墊對PMNT晶片表面2進行機械拋光，使其減薄為厚度385μm，平整度優于±1μm；

6)均勻升溫至57℃熔化粘結蠟，將PMNT晶片的表面2從研磨基板取下，自然冷卻至室溫；

7)清洗去粘結蠟。

3.根據權利要求1所述的一種低損傷晶片減薄工藝，其特征在于：所述PMNT晶片表面2的處理的具體步驟為：

1)均勻升溫至57℃用粘結蠟將PMNT晶片的表面1粘貼在研磨基板上，自然冷卻至室溫；

2)采用顆粒為3μm的Al₂O₃和研磨墊對PMNT晶片表面2進行機械粗磨，使其減薄為厚度160μm±3μm；

3)采用顆粒為3μm的Al₂O₃和拋光墊對PMNT晶片表面2進行機械粗磨，使其減薄為厚度50μm±2μm；

4)采用顆粒為1μm的Al₂O₃和拋光墊對PMNT晶片表面2進行機械粗磨，使其減薄為厚度30μm±1μm；

5)均勻升溫至57℃熔化粘結蠟，將PMNT晶片的表面1從研磨基板取下上，自然冷卻至室溫；

6)清洗去粘結蠟。

4.根據權利要求1所述的一種低損傷晶片減薄工藝，其特征在于：所述PMNT晶片表面1與PMNT晶片表面2的低損傷處理的具體步驟為采用氫氟酸緩沖液對PMNT晶片的表面1與表面2進行濕法腐蝕以去除缺陷和損傷，時間控制在于10min±30s。