[發明專利]摻雜ZrO2及制備方法、QLED器件及制備方法

有效

• 申請號: 201611182817.0
• 申請日: 2016-12-20
• 公開（公告）號: CN106698510B
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發明（設計）人: 王宇;曹蔚然;楊一行;錢磊
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: C01G25/02
• 分類號: C01G25/02;H01L51/56;H01L51/50
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發明公開摻雜ZrO₂及制備方法、QLED器件及制備方法，方法包括步驟：在鋯鹽的水溶液中，加入鋅源和/或錫源，然后再加入氮源，并加入堿溶液，使反應體系pH=7.5?9；然后將反應體系在150?230℃下反應5?24h；最后將反應后的溶液進行離心分離，并洗滌后，干燥得到摻雜ZrO₂。本發明通過將鋅源和/或錫源混合到鋯鹽的溶液中，使得氧化鋯中摻入錫和/或鋅元素，進而可以調節氧化鋯的能級結構，降低了氧化鋯的導帶能級，提升其功函數，從而降低了載流子注入的勢壘；并且可以通過調節能級，使得氧化鋯可以和更多的量子點能級匹配；另外通過摻雜氮元素，進而使得氧化鋯中產生更多的供體中心，進而促進了電子的傳輸。

技術領域

本發明涉及發光二極管技術領域，尤其涉及一種摻雜ZrO₂及制備方法、QLED器件及制備方法。

背景技術

目前QLED和OLED器件中，ZnO（氧化鋅）、TiO₂（氧化鈦）和ZrO₂（氧化鋯）作為無機電子注入層，而被廣泛應用，并且使得器件的性能得到了提高。ZrO₂和TiO₂是同族的氧化物，但是其在QLED中和OLED中的應用鮮有報道。而最近有文獻報道使用ZrO₂作為電子注入層制備成QLED，但是這其中ZrO₂的制備方法并沒有給出，而是在其它的公司購買。由目前的狀況可以發現ZrO₂的制備仍是需要解決的問題。并且該文獻中指出ZrO₂的能級和InP量子點的能級比較匹配，但是不同的量子點其能級是不同的，因此該文獻中制備的氧化鋯方法，不太適合應用到其它量子點的LED器件中。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種摻雜ZrO₂及制備方法、QLED器件及制備方法，旨在解決ZrO₂能級不太適合除InP以外的 QD，現有方法不適合應用到除InP以外量子點的LED器件中的問題。

本發明的技術方案如下：

一種摻雜ZrO₂的制備方法，其中，包括步驟：

在鋯鹽的水溶液中，加入鋅源和/或錫源，然后再加入氮源，并加入堿溶液，使反應體系pH=7.5-9；然后將反應體系在150-230℃下反應5-24h；最后將反應后的溶液進行離心分離，并洗滌后，干燥得到摻雜ZrO₂。

所述的摻雜ZrO₂的制備方法，其中，所述鋯鹽為氯化鋯，鋅源為氯化鋅，錫源為氯化錫。

所述的摻雜ZrO₂的制備方法，其中，所述氮源為氯化銨。

所述的摻雜ZrO₂的制備方法，其中，所述堿溶液為四甲基氫氧化銨溶液、氨水、氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液中的一種。

所述的摻雜ZrO₂的制備方法，其中，按元素摩爾比計，所述N:（Zn和/或Sn）:Zr=x:(0.2-x):0.8，其中0.01<x<0.05。

一種摻雜ZrO₂，其中，采用如上任一所述的摻雜ZrO₂的制備方法制備而成，所述摻雜ZrO₂為氮鋅、氮錫或氮鋅錫摻雜的ZrO₂。

一種QLED器件的制備方法，其中，包括：

步驟A、在含有底電極的襯底上依次制備空穴注入層和空穴傳輸層；

步驟B、在空穴傳輸層上制備量子點發光層；