[發明專利]摻雜ZrO2及制備方法、QLED器件及制備方法

有效

• 申請號: 201611182817.0
• 申請日: 2016-12-20
• 公開（公告）號: CN106698510B
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發明（設計）人: 王宇;曹蔚然;楊一行;錢磊
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: C01G25/02
• 分類號: C01G25/02;H01L51/56;H01L51/50
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種摻雜ZrO₂的制備方法，其特征在于，包括步驟：

在鋯鹽的水溶液中，加入鋅源和/或錫源，然后再加入氮源，并加入堿性溶液，使反應體系pH＝7.5-9；然后將反應體系在150-230℃下反應5-24h；最后將反應后的溶液進行離心分離，并洗滌后，干燥得到摻雜ZrO₂。

2.根據權利要求1所述的摻雜ZrO₂的制備方法，其特征在于，所述鋯鹽為氯化鋯，鋅源為氯化鋅，錫源為氯化錫。

3.根據權利要求1所述的摻雜ZrO₂的制備方法，其特征在于，所述氮源為氯化銨。

4.根據權利要求1所述的摻雜ZrO₂的制備方法，其特征在于，所述堿性溶液為四甲基氫氧化銨溶液、氨水、氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液中的一種。

5.根據權利要求1所述的摻雜ZrO₂的制備方法，其特征在于，按元素摩爾比計，所述N:(Zn和/或Sn):Zr＝x:(0.2-x):0.8，其中0.01<x<0.05。

6.一種摻雜ZrO₂，其特征在于，采用如權利要求1～5任一所述的摻雜ZrO₂的制備方法制備而成，所述摻雜ZrO₂為氮鋅、氮錫或氮鋅錫摻雜的ZrO₂。

7.一種QLED器件的制備方法，其特征在于，包括：

步驟A、在含有底電極的襯底上依次制備空穴注入層和空穴傳輸層；

步驟B、在空穴傳輸層上制備量子點發光層；

步驟C、在量子點發光層上制備ZrO₂層；其中所述步驟C具體為：將如權利要求6所述的摻雜ZrO₂溶于溶劑中，得到ZrO₂溶液；然后在量子點發光層上旋涂所述ZrO₂溶液，制成ZrO₂層；

步驟D、在ZrO₂層上制備頂電極，然后進行封裝，得到QLED器件。

8.一種QLED器件，其特征在于，所述QLED器件采用如權利要求7所述的QLED器件的制備方法制備而成；

所述QLED器件自下而上依次包括襯底、底電極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發光層、ZrO₂層和頂電極。

9.一種QLED器件的制備方法，其特征在于，包括：

步驟R、在含有底電極的襯底上制備ZrO₂層；其中所述步驟R具體為：將如權利要求6所述的摻雜ZrO₂溶于溶劑中，得到ZrO₂溶液；然后在含有底電極的襯底上旋涂所述ZrO₂溶液，制成ZrO₂層；

步驟S、在ZrO₂層上制備量子點發光層，然后在量子點發光層上制備空穴傳輸層；

步驟T、在空穴傳輸層上制備頂電極，然后進行封裝，得到QLED器件。

10.一種QLED器件，其特征在于，所述QLED器件采用如權利要求9所述的QLED器件的制備方法制備而成；所述QLED器件自下而上依次包括襯底、底電極、ZrO₂層、量子點發光層、空穴傳輸層和頂電極。