[發(fā)明專利]曝光裝置、圖像形成單元和圖像形成裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611182452.1 | 申請日: | 2016-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN106990687A | 公開(公告)日: | 2017-07-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 兼藤大志 | 申請(專利權(quán))人: | 日本沖信息株式會社 |
| 主分類號: | G03G15/04 | 分類號: | G03G15/04;G03G15/043 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 周學(xué)斌,鄭冀之 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 曝光 裝置 圖像 形成 單元 | ||
1.一種曝光裝置,使圖像載體曝光,其中,具備:
發(fā)光元件陣列,包含排列在第一方向且各自發(fā)出光的多個(gè)發(fā)光元件;以及
透鏡陣列,在與所述第一方向正交的第二方向上,與所述發(fā)光元件陣列對向配置,分別使由所述多個(gè)發(fā)光元件各自發(fā)出的多份所述光成像,
滿足下列式(1)和式(2),
175μm≤L0-L1≤250μm ……(1)
175μm≤L0-L2≤250μm ……(2)
其中,
L0:透鏡陣列的焦距(從由透鏡陣列成像的光的第一方向的光量分布算出的對比度為最大的距離)
L1:透鏡陣列與發(fā)光元件陣列的距離
L2:透鏡陣列與圖像載體的距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置,其中,所述透鏡陣列包含多個(gè)柱透鏡,所述柱透鏡的孔徑半角實(shí)質(zhì)上為10°~15°,并且所述柱透鏡在其徑向上具有折射率分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置,其中,所述透鏡陣列包含多個(gè)柱透鏡,所述柱透鏡的孔徑半角實(shí)質(zhì)上為12°,并且所述柱透鏡在其徑向上具有折射率分布。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或權(quán)利要求3所述的曝光裝置,其中,所述柱透鏡具有:0.14mm~0.16mm的半徑、4.2mm~4.4mm的高度和2.2mm~2.5mm的焦距。
5.一種圖像形成單元,其中,具備權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中的任一項(xiàng)所述的曝光裝置。
6.一種圖像形成裝置,其中,具備權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中的任一項(xiàng)所述的曝光裝置。
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- 專利分類
G03G 電記錄術(shù);電照相;磁記錄
G03G15-00 應(yīng)用電荷圖形的電記錄工藝的設(shè)備
G03G15-01 .用于生產(chǎn)多色復(fù)制品的
G03G15-02 .用于沉積均勻電荷的,即感光用的;電暈放電裝置
G03G15-04 .曝光用的,即將原件圖像光學(xué)投影到光導(dǎo)記錄材料上而進(jìn)行圖像曝光
G03G15-05 .用于圖像充電,例如,光敏控制屏、光觸發(fā)充電裝置
G03G15-054 .用X射線,例如,電放射術(shù)
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