[發明專利]非易失性存儲器件及其編程方法

在審

• 申請號: 201611180860.3
• 申請日: 2016-12-20
• 公開（公告）號: CN106601292A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 楊詩洋;王頎;付祥;劉飛;李婷;鄭世程;夏志良;霍宗亮
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/08
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 屈蘅,李時云

1.一種非易失性存儲器件，其特征在于，所述非易失性存儲器件包括存儲單元陣列、一個編程電壓產生器、一個旁路電壓產生器以及一個校驗電壓產生器，其中：

所述存儲單元陣列包括若干字線和若干存儲單元，每個字線連接多個存儲單元，所述字線層疊排列；

所述編程電壓產生器連接所述存儲單元陣列，為所述存儲單元陣列中的字線提供編程電壓；

所述旁路電壓產生器連接所述存儲單元陣列，為所述存儲單元陣列中的選中塊中的的字線提供旁路電壓，不同字線的旁路電壓的電壓幅度相等；

所述校驗電壓產生器連接所述存儲單元陣列，為所述存儲單元陣列中的字線提供校驗電壓。

2.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其特征在于，所述非易失性存儲器件還包括邏輯控制電路，所述邏輯控制電路控制所述編程電壓產生器、旁路電壓產生器以及校驗電壓產生器產生電壓的時間和電壓幅值。

3.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其特征在于，所述非易失性存儲器件還包括讀寫電路，所述讀寫電路向字線中進行讀取、編程和擦除操作。

4.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其特征在于，所述非易失性存儲器件為三維非易失性存儲器中的器件或陣列。

5.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其特征在于，所述非易失性存儲器件包括多個區域。

6.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其特征在于，所述非易失性存儲器件單調性或不規則排布。

7.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其特征在于，所述非易失性存儲器件位于NAND芯片內。

8.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其特征在于，所述非易失性存儲器件位于eMMC芯片內。

9.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其特征在于，所述非易失性存儲器件位于SSD芯片內。

10.一種非易失性存儲器件編程方法，其特征在于，所述非易失性存儲器件編程方法包括：

對存儲單元陣列輸入編程指令；

根據編程指令中選定的存儲單元所在的字線的位置設定編程電壓；

旁路電壓產生器向存儲單元陣列中的選中塊中的的所有字線施加相同的旁路電壓；

編程電壓產生器向選定的存儲單元所在的字線施加相應的編程電壓，對存儲單元中的字線進行編程；

根據編程指令中選定的存儲單元所在的字線的位置設定校驗電壓；

校驗電壓產生器向選定的存儲單元所在的字線施加相應的校驗電壓，對存儲單元中的字線進行校驗。

11.如權利要求10所述的非易失性存儲器件編程方法，其特征在于，所述非易失性存儲器件編程方法中對存儲單元中的字線進行校驗包括：

如果校驗通過，則所述非易失性存儲器件編程結束；

如果校驗失敗，則重新向若干字線施加相同的旁路電壓，向選定的字線施加編程電壓，根據選定的字線的位置設定校驗電壓，向選定的字線施加校驗電壓，再次校驗。

12.如權利要求11所述的非易失性存儲器件編程方法，其特征在于，所述非易失性存儲器件編程方法還包括：

選中的存儲單元所在的字線的閾值電壓大于校驗電壓，則校驗通過；

選中的存儲單元所在的字線的閾值電壓小于校驗電壓，則校驗失敗。

13.如權利要求12所述的非易失性存儲器件編程方法，其特征在于，所述閾值電壓的大小通過調節編程電壓來調節。