[發明專利]OLED封裝方法與OLED封裝結構

有效

• 申請號: 201611180720.6
• 申請日: 2016-12-19
• 公開（公告）號: CN106601931B
• 公開（公告）日: 2018-08-14
• 發明（設計）人: 金江江;徐湘倫
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂;聞盼盼

本發明提供一種OLED封裝方法與OLED封裝結構。本發明的OLED封裝方法，通過在OLED的封裝結構中同時設置硅摻雜類金剛石層與類金剛石散射層，利用硅摻雜類金剛石層起到阻隔外界水氧的效果，利用類金剛石散射層起到提高光線透過率的效果，不僅能夠大幅提高OLED器件的使用壽命，而且能夠保證OLED器件具有較高的光線輸出效率。本發明的OLED封裝結構，通過同時設置硅摻雜類金剛石層與類金剛石散射層，利用硅摻雜類金剛石層起到阻隔外界水氧的效果，利用類金剛石散射層起到提高光線透過率的效果，不僅能夠大幅提高OLED器件的使用壽命，而且能夠保證OLED器件具有較高的光線輸出效率。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種OLED封裝方法與OLED封裝結構。

背景技術

有機發光二極管顯示裝置(Organic Light Emitting Display，OLED)具有自發光、驅動電壓低、發光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實現柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優點，被業界公認為是最有發展潛力的顯示裝置。

OLED按照驅動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動顯示類型，發光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。

OLED器件通常包括：基板、設于基板上的陽極、設于陽極上的空穴注入層、設于空穴注入層上的空穴傳輸層、設于空穴傳輸層上的發光層、設于發光層上的電子傳輸層、設于電子傳輸層上的電子注入層、及設于電子注入層上的陰極。OLED器件的發光原理為半導體材料和有機發光材料在電場驅動下，通過載流子注入和復合導致發光。具體的，OLED器件通常采用氧化銦錫(ITO)電極和金屬電極分別作為器件的陽極和陰極，在一定電壓驅動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子傳輸層和空穴傳輸層，電子和空穴分別經過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發光層，并在發光層中相遇，形成激子并使發光分子激發，后者經過輻射弛豫而發出可見光。

OLED器件通常對水分非常敏感，一旦暴露在濕氣中，其陰極可以被氧化，有機層(空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層)可以被降解，從而降低OLED器件的亮度和使用壽命。因此，OLED器件的封裝材料通常需要較強的阻隔外界水氧的能力，以有效提高OLED器件的亮度和使用壽命。

類金剛石(Diamond-Like Carbon，DLC)是一種具有較好的阻隔水氧特性的材料，在OLED的封裝領域具有良好的應用前景。早在2005年，Abbas就在Thin Solid Films 482(2005)201–206發表的文章中對類金剛石的水汽透過率(WVTR)、折射率、光透過率進行了系統的研究，結果顯示，類金剛石的水汽透過率隨厚度的增加而減小，當類金剛石的厚度為70nm左右時，其水汽透過率不再會有明顯的降低。另外一方面，在類金剛石中引入少量硅(Si)元素時可以提高其阻隔水氧的能力，但是卻會降低其密度、透過率和折射率。因此，如何有效的解決類金剛石的阻隔外界水氧能力與其密度、透過率、折射率之間的矛盾，直接關系到類金剛石的現實應用。

發明內容

本發明的目的在于提供一種OLED封裝方法，不僅能夠大幅提高OLED器件的使用壽命，而且能夠保證OLED器件具有較高的光線輸出效率。

本發明的目的還在于提供一種OLED封裝結構，不僅能夠大幅提高OLED器件的使用壽命，而且能夠保證OLED器件具有較高的光線輸出效率。

為實現上述目的，本發明提供一種OLED封裝方法，包括如下步驟：

步驟1、提供一OLED器件，在所述OLED器件上形成第一阻隔層，所述第一阻隔層整面覆蓋所述OLED器件；