[發明專利]OLED封裝方法與OLED封裝結構

有效

• 申請號: 201611180720.6
• 申請日: 2016-12-19
• 公開（公告）號: CN106601931B
• 公開（公告）日: 2018-08-14
• 發明（設計）人: 金江江;徐湘倫
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂;聞盼盼

1.一種OLED封裝方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供一OLED器件(10)，在所述OLED器件(10)上形成第一阻隔層(20)，所述第一阻隔層(20)整面覆蓋所述OLED器件(10)；

步驟2、在所述第一阻隔層(20)上形成第一硅摻雜類金剛石層(30)，所述第一硅摻雜類金剛石層(30)整面覆蓋所述第一阻隔層(20)；

步驟3、在所述第一硅摻雜類金剛石層(30)上形成類金剛石散射層(40)；

步驟4、在所述第一硅摻雜類金剛石層(30)及類金剛石散射層(40)上形成第一有機緩沖層(50)，所述第一有機緩沖層(50)整面覆蓋所述第一硅摻雜類金剛石層(30)及類金剛石散射層(40)；

步驟5、在所述第一有機緩沖層(50)上形成第二阻隔層(60)，所述第二阻隔層(60)整面覆蓋所述第一有機緩沖層(50)；

所述步驟3中，采用脈沖激光沉積、濺射、或者等離子體增強化學氣相沉積的方式形成類金剛石散射層(40)；

所述類金剛石散射層(40)的材料為未摻雜的類金剛石；所述類金剛石散射層(40)包括間隔設置的多個條形類金剛石膜層(41)，或者包括呈陣列排布的多個圓形類金剛石膜層(42)；所述類金剛石散射層(40)的厚度為10nm-1μm。

2.如權利要求1所述的OLED封裝方法，其特征在于，所述步驟2中，采用脈沖激光沉積、濺射、或者等離子體增強化學氣相沉積的方式形成第一硅摻雜類金剛石層(30)；

所述第一硅摻雜類金剛石層(30)的材料為摻雜硅元素的類金剛石，其中，硅元素的含量小于10wt％；所述第一硅摻雜類金剛石層(30)的光線透過率大于或者等于95％；所述第一硅摻雜類金剛石層(30)的厚度為10nm-100nm。

3.如權利要求1所述的OLED封裝方法，其特征在于，所述步驟1中，采用等離子體增強化學氣相沉積、原子層沉積、脈沖激光沉積、或者濺射的方式形成第一阻隔層(20)；

所述第一阻隔層(20)的材料包括鋯鋁酸鹽、石墨烯、氧化鋁、二氧化鋯、過氧化鋅、氮化硅、碳氮化硅、氧化硅、及二氧化鈦中的一種或多種；所述第一阻隔層(20)的厚度為0.5μm-1μm；

所述步驟4中，利用噴墨打印、等離子體增強化學氣相沉積、或者狹縫涂布的方式形成第一有機緩沖層(50)；所述第一有機緩沖層(50)的材料包括亞克力樹脂、聚苯乙烯類化合物及聚酯類化合物的上述三者中的一種或多種；所述第一有機緩沖層(50)的厚度為1μm-10μm。

4.如權利要求1所述的OLED封裝方法，其特征在于，還包括：步驟6、在第二阻隔層(60)上形成整面覆蓋所述第二阻隔層(60)的第二硅摻雜類金剛石層(70)，在第二硅摻雜類金剛石層(70)上形成整面覆蓋所述第二硅摻雜類金剛石層(70)的第二有機緩沖層(80)，在第二有機緩沖層(80)上形成整面覆蓋所述第二有機緩沖層(80)的第三阻隔層(90)。

5.一種OLED封裝結構，其特征在于，包括：OLED器件(10)，設于OLED器件(10)上且整面覆蓋所述OLED器件(10)的第一阻隔層(20)，設于第一阻隔層(20)上且整面覆蓋所述第一阻隔層(20)的第一硅摻雜類金剛石層(30)，設于第一硅摻雜類金剛石層(30)上的類金剛石散射層(40)，設于第一硅摻雜類金剛石層(30)及類金剛石散射層(40)上且整面覆蓋所述第一硅摻雜類金剛石層(30)及類金剛石散射層(40)的第一有機緩沖層(50)，設于第一有機緩沖層(50)上且整面覆蓋所述第一有機緩沖層(50)的第二阻隔層(60)；

所述類金剛石散射層(40)的材料為未摻雜的類金剛石；所述類金剛石散射層(40)包括間隔設置的多個條形類金剛石膜層(41)，或者包括呈陣列排布的多個圓形類金剛石膜層(42)；所述類金剛石散射層(40)的厚度為10nm-1μm。

6.如權利要求5所述的OLED封裝結構，其特征在于，所述第一硅摻雜類金剛石層(30)的材料為摻雜硅元素的類金剛石，其中，硅元素的含量小于10wt％；所述第一硅摻雜類金剛石層(30)的光線透過率大于或者等于95％；所述第一硅摻雜類金剛石層(30)的厚度為10nm-100nm。