[發明專利]黑膜的制作方法、黑膜以及發光器件

有效

• 申請號: 201611180633.0
• 申請日: 2016-12-19
• 公開（公告）號: CN106654060B
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發明（設計）人: 田慶海
• 申請（專利權）人: 納晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/52
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 趙囡囡;吳貴明

本申請提供了一種黑膜的制作方法、黑膜以及發光器件。該制作方法包括：步驟S1，采用黑色光刻膠制作第一個黑膜層；步驟S2，在第一個黑膜層的一個表面上依次制作第二個至第N個黑膜層，且使得第一個黑膜層的覆蓋區域與設置在第一個黑膜層上的各個黑膜層的覆蓋區域一一對應，第一個黑膜層與設置在第一個黑膜層上的N?1個黑膜層形成黑膜，且N≥2；步驟S3，采用等離子體刻蝕法對黑膜的表面形貌進行處理，使得黑膜的表面平整。該制作方法能夠制作得到較厚的黑膜，且黑膜的表面形貌較好，表面較平整。

技術領域

本申請涉及半導體領域，具體而言，涉及一種黑膜的制作方法、黑膜以及發光器件。

背景技術

黑膜(Black Mask，簡稱BM)，常被設置在液晶面板所使用的濾色鏡(colorfilter)的表面上，黑膜包括多個用于遮光的格子區域或者條紋區域，來覆蓋相鄰的不同顏色像素之間的交界區域，進而分離紅色像素、綠色像素以及藍色像素(即RGB像素)。

現有技術中，黑膜的制備方法通常需要借助紫外光與掩模板來完成，將掩膜版設置在黑色光刻膠的表面上方，紫外光源設置在掩膜版的遠離黑色光刻膠的一側，紫外光經過掩膜版對黑色光刻膠的部分區域曝光，黑色光刻膠屬于負性光刻膠，未覆蓋區域即被曝光的區域發生變性，對黑色光刻膠進行顯影時，由于被曝光的區域的黑色光刻膠發生變性而不會被顯影液顯掉，進而這部分區域形成用于覆蓋區域，其他的被覆蓋住的黑色光刻膠被顯掉(有時候會在非覆蓋區域設置對準標記，該對準標記與覆蓋區域在同一個過程形成)。

隨著發光器件的不斷更新換代，對黑膜的制作要求也是越來越高，如在量子點光致發光器件中，為滿足多層的器件結構，常需要制作厚度較大(>1.5μm)的黑膜，而現有方法無法實現，究其根源在于黑膜的高吸光和遮光特性會使得照射在黑色光刻膠上部分的紫外光被吸收，導致紫外光不能很好的照射到厚度較深的下部分黑色光刻膠區域中，最終因無法完全曝光導致厚度較大的黑膜常以失敗告終。

現有技術在制作黑膜時，主要存在如下缺點：當制作黑膜厚度較大的圖形時，有的底部的黑色光刻膠無法曝光，不會發生交聯反應，顯影時，被顯影液沖掉，即無法形成厚度>2μm的黑膜圖形；有的底部的黑色光刻膠曝光不完全，交聯反應不完全，顯影時，底部的黑膜部分被顯影掉，出現凹坑；現有的液態黑色光刻膠，粘度很小，難以涂布形成較厚的膜。

發明內容

本申請的主要目的在于提供一種黑膜的制作方法、黑膜以及發光器件，以解決現有技術中難以形成較厚的且表面形態較好的黑膜的問題。

為了實現上述目的，根據本申請的一個方面，提供了一種黑膜的制作方法，該制作方法包括：步驟S1，采用黑色光刻膠制作第一個黑膜層；步驟S2，在上述第一個黑膜層的一個表面上依次制作第二個至第N個黑膜層，且使得上述第一個黑膜層的覆蓋區域與設置在上述第一個黑膜層上的各個黑膜層的覆蓋區域一一對應，上述第一個黑膜層與設置在上述第一個黑膜層上的N-1個黑膜層形成黑膜，且N≥2；步驟S3，采用等離子體刻蝕法對上述黑膜的表面形貌進行處理，使得上述黑膜的表面平整。

進一步地，各上述黑膜層厚度小于1.5μm，上述N個黑膜層中的每一個黑膜層的制作過程包括：在基板的表面上或在前黑膜層的表面上設置黑色光刻膠，上述前黑膜層為與上述基板的距離最大的黑膜層，當制作上述第一個黑膜層時，在上述基板的表面上設置黑色光刻膠，當制作上述第二個至上述第N個黑膜層時，在上述前黑膜層的表面上設置黑色光刻膠；對上述黑色光刻膠進行預固化，使得上述黑色光刻膠形成不流動的預黑膜層；將掩膜版放置在上述預黑膜層的遠離上述基板的表面上，其中，上述掩膜版的透光區域與上述預黑膜層的覆蓋區域一一對應；采用紫外光從上述掩膜版的遠離上述預黑膜層的一側對上述預黑膜層進行曝光；采用顯影液對包括上述基板與上述預黑膜層的結構或者包括上述基板、黑膜層與上述預黑膜層的結構進行顯影以溶解上述預黑膜層中沒有被曝光的區域；對顯影后的上述預黑膜層進行固化形成上述黑膜層。