[發(fā)明專利]黑膜的制作方法、黑膜以及發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611180633.0
• 申請日: 2016-12-19
• 公開（公告）號: CN106654060B
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田慶海
• 申請（專利權(quán)）人: 納晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/52
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11240
• 代理人: 趙囡囡;吳貴明

1.一種黑膜的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

步驟S1，采用黑色光刻膠制作第一個黑膜層；

步驟S2，在所述第一個黑膜層的一個表面上依次制作第二個至第N個黑膜層，且使得所述第一個黑膜層的覆蓋區(qū)域與設(shè)置在所述第一個黑膜層上的各個黑膜層的覆蓋區(qū)域一一對應(yīng)，所述第一個黑膜層與設(shè)置在所述第一個黑膜層上的N-1個黑膜層形成黑膜，且N≥2，當N＝2時，在所述第一個黑膜層的一個表面上僅制作第二個黑膜層；以及

步驟S3，采用等離子體刻蝕法對所述黑膜的表面形貌進行處理，使得所述黑膜的表面平整，

所述步驟S3包括：

步驟S31，采用等離子體刻蝕法去除所述黑膜表面的凸起；以及

步驟S32，采用等離子體刻蝕法去除所述黑膜表面的凹陷，

所述步驟S32中，采用第二氣體進行所述等離子體刻蝕法，所述第二氣體包括第二轟擊氣體、第二腐蝕氣體和分散氣體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，各所述黑膜層厚度小于1.5μm，所述N個黑膜層中的每一個黑膜層的制作過程包括：

在基板的表面上或在前黑膜層的表面上設(shè)置黑色光刻膠，所述前黑膜層為與所述基板的距離最大的黑膜層，當制作所述第一個黑膜層時，在所述基板的表面上設(shè)置黑色光刻膠，當制作所述第二個至所述第N個黑膜層時，在所述前黑膜層的表面上設(shè)置黑色光刻膠；

對所述黑色光刻膠進行預(yù)固化，使得所述黑色光刻膠形成不流動的預(yù)黑膜層；

將掩膜版放置在所述預(yù)黑膜層的遠離所述基板的表面上，其中，所述掩膜版的透光區(qū)域與所述預(yù)黑膜層的覆蓋區(qū)域一一對應(yīng)；

采用紫外光從所述掩膜版的遠離所述預(yù)黑膜層的一側(cè)對所述預(yù)黑膜層進行曝光；

采用顯影液對包括所述基板與所述預(yù)黑膜層的結(jié)構(gòu)或者包括所述基板、黑膜層與所述預(yù)黑膜層的結(jié)構(gòu)進行顯影以溶解所述預(yù)黑膜層中沒有被曝光的區(qū)域；以及

對顯影后的所述預(yù)黑膜層進行固化形成所述黑膜層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述掩膜版包括位于所述透光區(qū)域的對位標記，且形成的各所述黑膜層均包括與所述對位標記一一對應(yīng)的黑膜標記。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，在對第二個至第N個所述預(yù)黑膜層中任意一個所述預(yù)黑膜層曝光的過程包括：

以所述對位標記與所述前黑膜層的黑膜標記一一對準的方式，將所述掩膜版放置在所述預(yù)黑膜層的遠離所述基板的表面上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S31中，采用第一氣體進行所述等離子體刻蝕法，所述第一氣體包括第一轟擊氣體與第一腐蝕氣體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第一轟擊氣體包括Ar，所述第一腐蝕氣體包括O₂，Ar與O₂的摩爾比在5：1～30：1之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第一氣體的電離功率在100～700W之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二轟擊氣體包括Ar，所述第二腐蝕氣體包括O₂，所述分散氣體包括He和/或N₂，O₂與Ar的摩爾比在3：1～10：1之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二氣體的電離功率在100～500W之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述分散氣體的體積占所述第二氣體的體積總量的65～87％。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二氣體還包括除雜質(zhì)氣體，所述除雜質(zhì)氣體包括包含F(xiàn)^-的化合物氣體，所述除雜質(zhì)氣體的體積小于等于所述第二氣體的體積總量的2％。