[發明專利]翹曲晶圓的吸附方法及使用該吸附方法的裝置

有效

• 申請號: 201611180576.6
• 申請日: 2016-12-19
• 公開（公告）號: CN108206144B
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 陳明輝
• 申請（專利權）人: 蘇州能訊高能半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 張海英;林波

本發明公開了一種翹曲晶圓的吸附方法及使用該吸附方法的裝置，屬于半導體技術領域，為解決現有翹曲晶圓無法進行吸附的問題而設計。本發明翹曲晶圓的吸附方法是使用正常晶圓在吸盤上形成吸附正常的狀態，再使用翹曲晶圓替換正常晶圓，水平調整和/或旋轉調整翹曲晶圓在吸盤上的位置直至翹曲晶圓被吸附在吸盤上。本發明裝置包括連接至真空系統的吸盤，吸盤上設置有多個吸孔；真空系統上設置有控制開關。本發明翹曲晶圓的吸附方法盡可能地不因翹曲而廢棄晶圓，讓盡可能多的晶圓能成功地切割成芯片，提高成品率，降低成本。本發明裝置能使用上述吸附方法來光刻翹曲晶圓，避免這些晶圓被廢棄掉，光刻效果良好。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種翹曲晶圓的吸附方法以及使用該吸附方法的裝置。

背景技術

在半導體制造過程中，在經歷了多道工藝制程之后晶圓上不可避免地會積累大量的應力，導致晶圓局部或全部地翹曲變形，當應力超過晶圓所能承受的限度時甚至會導致晶圓碎裂。

曝光工藝需要將晶圓放置于吸盤上、通過吸盤上的真空吸孔進行吸附固定，然后對晶圓進行光刻。吸盤上通常設置有多個吸孔以便于更好地固定晶圓，當晶圓平整或只有輕微的翹曲變形時，吸盤能吸附晶圓且能降低晶圓的翹曲度；但當晶圓變形嚴重時吸盤與晶圓之間會產生真空泄露，導致晶圓無法被吸附，從而發生拒片，大大影響了產率。

發明內容

本發明的一個目的在于提出一種提高成品率、降低成本的翹曲晶圓的吸附方法。

本發明的另一個目的在于提出一種盡可能避免晶圓因翹曲而被廢棄的裝置。

為達此目的，一方面，本發明采用以下技術方案：

一種翹曲晶圓的吸附方法，所述吸附方法是使用正常晶圓在吸盤上形成吸附正常的狀態，再使用翹曲晶圓替換所述正常晶圓，水平調整和/或旋轉調整所述翹曲晶圓在所述吸盤上的位置直至所述翹曲晶圓被吸附在所述吸盤上。

特別是，所述吸附方法包括下述步驟：

步驟1、將一片所述正常晶圓送至所述吸盤上，開啟真空系統，所述真空系統判定所述吸盤的吸附狀態正常；

步驟2、在得到所述真空系統發出的吸附狀態正常信號后關閉所述真空系統，取下所述正常晶圓；

步驟3、將所述翹曲晶圓放置在所述吸盤上；

步驟4、開啟真空系統，水平調整和/或旋轉調整所述翹曲晶圓在所述吸盤上的位置直至所述翹曲晶圓被吸附在所述吸盤上。

進一步，在步驟1之前還包括下述步驟：

步驟A、對全部晶圓進行正常操作，將其中放置在所述吸盤上被真空系統判定為吸附異常的晶圓歸類為翹曲晶圓；

步驟B、將全部所述翹曲晶圓單獨放置，等待第二次操作。

特別是，使用手動或機械方式實現所述翹曲晶圓的水平調整和/或旋轉調整。

特別是，在水平調整和/或旋轉調整所述翹曲晶圓達到一定程度或一定時間后仍然不能實現所述翹曲晶圓被吸附在所述吸盤上時，將所述翹曲晶圓恢復至最初位置，然后按壓所述翹曲晶圓的邊緣使其被吸附在所述吸盤上。

進一步，按壓所述翹曲晶圓包括下述步驟：

步驟61、按壓所述翹曲晶圓的任一側邊緣，令其吸附在所述吸盤上；

步驟62、按壓所述翹曲晶圓上關于圓心對稱的另一側邊緣，令其吸附在所述吸盤上；

步驟63、檢查所述翹曲晶圓是否全部被吸附在所述吸盤上，是則轉至步驟65；否則轉至步驟64；

步驟64、依次按壓所述翹曲晶圓上仍然翹曲的部分，直至所述翹曲晶圓全部被吸附在所述吸盤上；