[發(fā)明專利]翹曲晶圓的吸附方法及使用該吸附方法的裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611180576.6
• 申請日: 2016-12-19
• 公開（公告）號: CN108206144B
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳明輝
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 張海英;林波

1.一種翹曲晶圓的吸附方法，其特征在于，所述吸附方法是使用正常晶圓在吸盤(1)上形成吸附正常的狀態(tài)，再使用翹曲晶圓(2)替換所述正常晶圓，水平調(diào)整和/或旋轉(zhuǎn)調(diào)整所述翹曲晶圓(2)在所述吸盤(1)上的位置直至所述翹曲晶圓(2)被吸附在所述吸盤(1)上；

所述吸附方法包括下述步驟：

步驟1、將一片所述正常晶圓送至所述吸盤(1)上，開啟真空系統(tǒng)(3)，所述真空系統(tǒng)(3)判定所述吸盤(1)的吸附狀態(tài)正常；

步驟2、在得到所述真空系統(tǒng)(3)發(fā)出的吸附狀態(tài)正常信號后關(guān)閉所述真空系統(tǒng)(3)，取下所述正常晶圓；

步驟3、將所述翹曲晶圓(2)放置在所述吸盤(1)上；

步驟4、開啟真空系統(tǒng)(3)，水平調(diào)整和/或旋轉(zhuǎn)調(diào)整所述翹曲晶圓(2)在所述吸盤(1)上的位置直至所述翹曲晶圓(2)被吸附在所述吸盤(1)上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的翹曲晶圓的吸附方法，其特征在于，在步驟1之前還包括下述步驟：

步驟A、對全部晶圓進(jìn)行正常操作，將其中放置在所述吸盤(1)上被真空系統(tǒng)(3)判定為吸附異常的晶圓歸類為翹曲晶圓(2)；

步驟B、將全部所述翹曲晶圓(2)單獨放置，等待第二次操作。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的翹曲晶圓的吸附方法，其特征在于，使用手動或機(jī)械方式實現(xiàn)所述翹曲晶圓(2)的水平調(diào)整和/或旋轉(zhuǎn)調(diào)整。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的翹曲晶圓的吸附方法，其特征在于，在水平調(diào)整和/或旋轉(zhuǎn)調(diào)整所述翹曲晶圓(2)達(dá)到一定程度或一定時間后仍然不能實現(xiàn)所述翹曲晶圓(2)被吸附在所述吸盤上時，將所述翹曲晶圓(2)恢復(fù)至最初位置，然后按壓所述翹曲晶圓(2)的邊緣使其被吸附在所述吸盤(1)上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的翹曲晶圓的吸附方法，其特征在于，按壓所述翹曲晶圓(2)包括下述步驟：

步驟61、按壓所述翹曲晶圓(2)的任一側(cè)邊緣，令其吸附在所述吸盤(1)上；

步驟62、按壓所述翹曲晶圓(2)上關(guān)于圓心對稱的另一側(cè)邊緣，令其吸附在所述吸盤(1)上；

步驟63、檢查所述翹曲晶圓(2)是否全部被吸附在所述吸盤(1)上，是則轉(zhuǎn)至步驟65；否則轉(zhuǎn)至步驟64；

步驟64、依次按壓所述翹曲晶圓(2)上仍然翹曲的部分，直至所述翹曲晶圓(2)全部被吸附在所述吸盤(1)上；

步驟65、結(jié)束。