[發(fā)明專(zhuān)利]OLED封裝方法與OLED封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611179979.9
• 申請(qǐng)日: 2016-12-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106654045B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭斯敏;金江江
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L51/52
• 分類(lèi)號(hào): H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 44265 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 林才桂;聞盼盼

1.一種OLED封裝方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供OLED器件(101)，在所述OLED器件(101)上形成第一無(wú)機(jī)層(201)，所述第一無(wú)機(jī)層(201)整面覆蓋所述OLED器件(101)；

步驟2、在所述第一無(wú)機(jī)層(201)上形成第一鈦摻雜類(lèi)金剛石膜層(301)，所述第一鈦摻雜類(lèi)金剛石膜層(301)整面覆蓋所述第一無(wú)機(jī)層(201)；

步驟3、在所述第一鈦摻雜類(lèi)金剛石膜層(301)上形成第一有機(jī)層(401)，所述第一有機(jī)層(401)整面覆蓋所述第一鈦摻雜類(lèi)金剛石膜層(301)；

步驟4、在所述第一有機(jī)層(401)上形成第二無(wú)機(jī)層(202)，所述第二無(wú)機(jī)層(202)整面覆蓋所述第一有機(jī)層(401)；

所述第一鈦摻雜類(lèi)金剛石膜層(301)的材料為摻雜鈦元素的類(lèi)金剛石，其中，鈦元素的含量為1wt％～10wt％；

所述第一鈦摻雜類(lèi)金剛石膜層(301)的厚度為1nm-1000nm；所述第一無(wú)機(jī)層(201)的厚度為0.5μm-1μm；所述第一有機(jī)層(401)的厚度為4μm-8μm；所述第二無(wú)機(jī)層(202)的厚度與所述第一無(wú)機(jī)層(201)相同；

所述第一有機(jī)層(401)的材料包括丙烯酸脂、六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂、及聚苯乙烯中的一種或多種。

2.如權(quán)利要求1所述的OLED封裝方法，其特征在于，還包括：

步驟5、在所述第二無(wú)機(jī)層(202)上形成第二鈦摻雜類(lèi)金剛石膜層(302)，所述第二鈦摻雜類(lèi)金剛石膜層(302)整面覆蓋所述第二無(wú)機(jī)層(202)。

3.如權(quán)利要求1所述的OLED封裝方法，其特征在于，還包括：

步驟5’、在所述第二無(wú)機(jī)層(202)上形成第二有機(jī)層(402)，所述第二有機(jī)層(402)整面覆蓋所述第二無(wú)機(jī)層(202)；

在所述第二有機(jī)層(402)上形成第三無(wú)機(jī)層(203)，所述第三無(wú)機(jī)層(203)整面覆蓋所述第二有機(jī)層(402)。

4.如權(quán)利要求2所述的OLED封裝方法，其特征在于，還包括：

步驟6、在所述第二鈦摻雜類(lèi)金剛石膜層(302)上形成第二有機(jī)層(402)，所述第二有機(jī)層(402)整面覆蓋所述第二鈦摻雜類(lèi)金剛石膜層(302)；

在所述第二有機(jī)層(402)上形成第三無(wú)機(jī)層(203)，所述第三無(wú)機(jī)層(203)整面覆蓋所述第二有機(jī)層(402)。

5.如權(quán)利要求4所述的OLED封裝方法，其特征在于，還包括：

步驟7、在所述第三無(wú)機(jī)層(203)上形成第三鈦摻雜類(lèi)金剛石膜層(303)，所述第三鈦摻雜類(lèi)金剛石膜層(303)整面覆蓋所述第三無(wú)機(jī)層(203)。

6.一種OLED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括OLED器件(101)、設(shè)于OLED器件(101)上且整面覆蓋所述OLED器件(101)的第一無(wú)機(jī)層(201)、設(shè)于第一無(wú)機(jī)層(201)上且整面覆蓋所述第一無(wú)機(jī)層(201)的第一鈦摻雜類(lèi)金剛石膜層(301)、設(shè)于第一鈦摻雜類(lèi)金剛石膜層(301)上且整面覆蓋所述第一鈦摻雜類(lèi)金剛石膜層(301)的第一有機(jī)層(401)、以及設(shè)于第一有機(jī)層(401)上且整面覆蓋所述第一有機(jī)層(401)的第二無(wú)機(jī)層(202)；

所述第一鈦摻雜類(lèi)金剛石膜層(301)的材料為摻雜鈦元素的類(lèi)金剛石，其中，鈦元素的含量為1wt％～10wt％；

所述第一鈦摻雜類(lèi)金剛石膜層(301)的厚度為1nm-1000nm；所述第一無(wú)機(jī)層(201)的厚度為0.5μm-1μm；所述第一有機(jī)層(401)的厚度為4μm-8μm；所述第二無(wú)機(jī)層(202)的厚度與所述第一無(wú)機(jī)層(201)相同；

所述第一有機(jī)層(401)的材料包括丙烯酸脂、六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂、及聚苯乙烯中的一種或多種。

7.如權(quán)利要求6所述的OLED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：設(shè)于所述第二無(wú)機(jī)層(202)上且整面覆蓋所述第二無(wú)機(jī)層(202)的第二鈦摻雜類(lèi)金剛石膜層(302)。