[發明專利]OLED封裝方法與OLED封裝結構有效
| 申請號: | 201611179979.9 | 申請日: | 2016-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN106654045B | 公開(公告)日: | 2019-12-24 |
| 發明(設計)人: | 彭斯敏;金江江 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 44265 深圳市德力知識產權代理事務所 | 代理人: | 林才桂;聞盼盼 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 封裝 方法 結構 | ||
本發明提供一種OLED封裝方法與OLED封裝結構,通過在OLED薄膜封裝層中引入鈦摻雜類金剛石膜層,利用鈦摻雜類金剛石膜層較高的光透過率、較好的柔性、高熱傳導性以及較低的水氧透過率,來提高OLED薄膜封裝層的光透過率、彎折特性、熱傳導能力及阻隔水氧能力,進而提高柔性OLED顯示面板的使用性能與使用壽命。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種OLED封裝方法與OLED封裝結構。
背景技術
有機發光二極管顯示裝置(Organic Light Emitting Display,OLED)具有自發光、驅動電壓低、發光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬,可實現柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優點,被業界公認為是最有發展潛力的顯示裝置。
OLED按照驅動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)兩大類,即直接尋址和薄膜晶體管矩陣尋址兩類。其中,AMOLED具有呈陣列式排布的像素,屬于主動顯示類型,發光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。
OLED器件通常包括:基板、設于基板上的陽極、設于陽極上的空穴注入層、設于空穴注入層上的空穴傳輸層、設于空穴傳輸層上的發光層、設于發光層上的電子傳輸層、設于電子傳輸層上的電子注入層、及設于電子注入層上的陰極。OLED器件的發光原理為半導體材料和有機發光材料在電場驅動下,通過載流子注入和復合導致發光。具體的,OLED器件通常采用氧化銦錫(ITO)電極和金屬電極分別作為器件的陽極和陰極,在一定電壓驅動下,電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子傳輸層和空穴傳輸層,電子和空穴分別經過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發光層,并在發光層中相遇,形成激子并使發光分子激發,后者經過輻射弛豫而發出可見光。
OLED器件的封裝材料多使用致密度高且具有良好導熱性的材料,以確保OLED器件中的有機層及電極層材料與外界環境完全隔離,并有效排出OLED器件長時間工作所產生的熱能。類金剛石(Diamond-Like Carbon,DLC)具有良好的抗磨耗性能、較佳的耐腐蝕性、高致密度以及高熱傳導性,同時對濕氣具有較低的水穿透率,因此相對于一般的有機材料或陶瓷材料來說,在OLED的封裝工藝上具有一定的優勢。
目前,應用DLC材料的OLED封裝結構一般采用DLC膜/緩沖層/DLC膜/緩沖層交替的結構,如Kuang-Jung Chen在專利US20040056269中的封裝結構采用DLC膜與緩沖層交替的方式,DLC膜用于阻隔外界的水氧,緩沖層用于緩解應力。隨后,在CN1328936C、US20060078677等專利中都可以看到一系列此類型的封裝工藝。然而,由于純DLC膜的密度較高,因此光穿透性不高,而且膜的應力很大,在彎曲時容易出現裂痕。
Xiaowei Li等人在Elsevier上報道了采用不同濃度的鈦(Ti)摻雜DLC后對DLC膜的應力大小的影響,結果表明,隨著Ti含量的增加,膜應力呈現先減小后增大的趨勢,該研究為解決DLC膜在彎曲時易出現裂痕的問題提供了很好的指導方案。
發明內容
本發明的目的在于提供一種OLED封裝方法,能夠提高OLED薄膜封裝層的光透過率、彎折特性、熱傳導能力及阻隔水氧能力,進而提高柔性OLED顯示面板的使用性能與使用壽命。
本發明的目的還在于提供一種OLED封裝結構,能夠提高OLED薄膜封裝層的光透過率、彎折特性、熱傳導能力及阻隔水氧能力,進而提高柔性OLED顯示面板的使用性能與使用壽命。
為實現上述目的,本發明首先提供一種OLED封裝方法的第一實施例,包括如下步驟:
步驟1、提供OLED器件,在所述OLED器件上形成第一無機層,所述第一無機層整面覆蓋所述OLED器件;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





