[發明專利]用于減少晶片背側沉積的可變溫度硬件及方法

有效

• 申請號: 201611177342.6
• 申請日: 2016-12-19
• 公開（公告）號: CN106947958B
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 康胡;伊斯達克·卡里姆;普魯沙塔姆·庫馬爾;錢俊;拉梅什·錢德拉賽卡蘭;阿德里安·拉瓦伊
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;C23C16/513;H01L21/687
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;邱曉敏

本發明涉及一種用于減少晶片背側沉積的可變溫度硬件及方法。用于化學沉積裝置的處理調整套件，其中處理調整套件包括承載環、馬蹄形物和墊片。馬蹄形物具有相同的尺寸，并且墊片設置成具有不同厚度的組以控制馬蹄形物相對于上面安裝有馬蹄形物和墊片的基座組件的上表面的高度。通過放置在馬蹄形物上的承載環將半導體襯底輸送到化學沉積裝置的真空室中，使得最小接觸面積支撐件從承載環提升襯底并且相對于基座組件的上表面以預定的偏移量支撐襯底。在襯底的處理期間，可以通過使用期望厚度的墊片來控制預定偏移量來減少背側沉積。

相關申請的交叉引用

本申請是于2015年12月17日提交的美國申請No.14/972,205的部分繼續申請案，其全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本發明涉及用于進行化學沉積并用于進行等離子體增強化學沉積的裝置和方法。

背景技術

等離子體處理裝置可以用于通過包括蝕刻、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、原子層沉積(ALD)、等離子體增強原子層沉積(PEALD)、脈沖沉積層(PDL)、等離子體增強脈沖沉積層(PEPDL)處理和抗蝕劑去除的技術處理半導體襯底。例如，用于等離子體處理的一種類型的等離子體處理裝置包括含有頂部電極和底部電極的反應室或沉積室。在電極之間施加射頻(RF)功率以將處理氣體或反應器化學物質激發成用于處理反應室中的半導體襯底的等離子體。

發明內容

根據一實施方式，在化學沉積裝置中有用的處理調整套件包括承載環、成組的三個馬蹄形物和成組的三個墊片，其中(a)所述墊片具有上表面、平行于所述上表面的下表面、端壁、從所述端壁延伸的U形側壁以及在所述上表面和所述下表面之間延伸的孔、具有相同厚度的第一組三個墊片和具有與第一組墊片不同的厚度的第二組墊片，(b)所述馬蹄形物具有上表面、平行于所述上表面的下表面、端壁、從所述端壁延伸的U形側壁、在所述上表面和所述下表面之間延伸的孔，以及在所述端壁中開口并且延伸小于跨越所述上表面一半的槽，所述孔具有與所述墊片的孔相同的直徑，和/或(c)所述承載環具有上表面、平行于所述上表面的下表面、外側壁、內側壁以及從所述下表面延伸的三個對準銷。

根據另一個實施方式，在化學沉積裝置中有用的處理調整套件的墊片具有上表面、平行于所述上表面的下表面、端壁、從所述端壁延伸的U形側壁以及在所述上表面和所述下表面之間延伸的孔。所述墊片優選地具有約0.8英寸的長度，約0.5英寸的寬度，具有約0.15英寸的直徑的孔，以及0.0465英寸、0.0470英寸、0.0475英寸、0.0480英寸、0.0485英寸、0.0490英寸、0.0495英寸、0.0500英寸、0.0505英寸、0.0510英寸、0.0515英寸、0.0520英寸、0.0525英寸、0.0530英寸、0.0535英寸、0.0540英寸、0.0545英寸、0.0550英寸、0.0555英寸、0.0560英寸、0.0565英寸、0.0570英寸、0.0575英寸、0.0580英寸、0.0585英寸、0.0590英寸、0.0595英寸、0.0600英寸、0.0605英寸、0.0610英寸或0.0615英寸的厚度。

根據另一個實施方式，在化學沉積裝置中有用的處理調整套件的馬蹄形物具有上表面、平行于所述上表面的下表面、端壁、從所述端壁延伸的U形側壁、在所述上表面和所述下表面之間延伸的孔，以及在所述端壁中開口并且延伸小于跨越所述上表面一半的槽。馬蹄形物優選具有約0.8英寸的長度，約0.5英寸的寬度，約0.5英寸的厚度，所述孔具有約0.15英寸的直徑，所述槽具有約0.19英寸的寬度和約0.25英寸的高度，所述孔與所述槽對齊，所述側壁具有由半圓形區段連接的一對平行的直區段，所述半圓形區段具有從所述孔的中心測量的約0.26英寸的半徑，所述孔具有從所述下表面延伸約0.16英寸的均勻直徑部分和延伸到所述馬蹄形物的所述上表面中的錐形部分，所述錐形部分形成具有約80°的角度的倒角，以及所述槽沿著所述端壁和所述上表面具有倒角邊緣。