[發明專利]一種OLED顯示面板及其制備方法在審
| 申請號: | 201611176024.8 | 申請日: | 2016-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN108231824A | 公開(公告)日: | 2018-06-29 |
| 發明(設計)人: | 朱儒暉 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素定義層 襯底 絕緣介質層 開口 制備 金屬掩模板 發光單元 正投影 | ||
本發明實施例提供一種OLED顯示面板及其制備方法,涉及顯示技術領域,可減少制備OLED顯示面板過程中,金屬掩模板對發光單元的不良影響。該OLED顯示面板,包括襯底、設置在所述襯底上的像素定義層,還包括設置在所述像素定義層遠離所述襯底一側的絕緣介質層;所述絕緣介質層的開口與所述像素定義層的開口在所述襯底的正投影重疊,且所述像素定義層的開口的邊緣超出所述絕緣介質層的開口的邊緣。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種OLED顯示面板及其制備方法。
背景技術
有機電致發光二極管(Organic Light Emitting Diode,簡稱OLED)是一種有機薄膜電致發光器件,其具有制備工藝簡單、成本低、易形成柔性結構、視角寬等優點,因此,利用OLED的顯示技術已成為一種重要的顯示技術。
現有技術中,如圖1和圖2所示,OLED顯示面板的制備,一般為先在襯底10上通過構圖工藝形成陽極101和像素定義層20,之后將圖案化的金屬掩模板30與形成有陽極101和像素定義層20的基板對位貼合,使金屬掩模板30的開孔與像素定義層的開口201對應,然后蒸鍍有機材料產生蒸汽,蒸汽通過金屬掩膜的開孔,在基板上沉積形成有機材料功能層102。之后蒸鍍形成陰極103。
其中,為避免蒸鍍材料外溢而產生陰影效應,在蒸鍍過程中,金屬掩模板與基板不能有大的間隙,如圖1所示,通常的做法是設置磁鐵40,讓金屬掩模板30的掩模條因磁力的吸引而貼合于基板的像素定義層20。
然而,一方面,由于金屬掩模板30的掩模條邊緣,尤其是大尺寸金屬掩模板30的掩模條邊緣極易皺褶變形,變形的金屬掩模板30與基板緊密貼合時會因為受力不均形成擠壓像素定義層20,造成像素定義層20的開口邊緣塌陷,因而容易導致發光單元出現不良;另一方面,由于基板與金屬掩模板30在傳送過程中會發生相對位移及摩擦,因此,容易對發光單元邊緣造成刮傷,導致發光單元出現黑點黑斑;再一方面,金屬掩模板30在使用過程中其開孔邊緣可能凝結有顆粒性物質,這些顆粒性物質在金屬掩模板30與基板分離過程中容易對發光單元造成壓傷。
發明內容
本發明的實施例提供一種OLED顯示面板及其制備方法,可減少制備OLED顯示面板過程中,金屬掩模板對發光單元的不良影響。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
一方面,提供一種OLED顯示面板,包括襯底、設置在所述襯底上的像素定義層,還包括設置在所述像素定義層遠離所述襯底一側的絕緣介質層;所述絕緣介質層的開口與所述像素定義層的開口在所述襯底的正投影重疊,且所述像素定義層的開口的邊緣超出所述絕緣介質層的開口的邊緣。
優選的,所述絕緣介質層的厚度為1~5μm。
優選的,所述OLED顯示面板還包括設置在所述像素定義層遠離所述襯底一側,且靠近所述像素定義層的開口的突起結構;所述突起結構環繞所述像素定義層的開口設置,且所述突起結構的高度小于所述絕緣介質層的高度。
進一步優選的,所述像素定義層、所述絕緣介質層和所述突起結構的材料均不相同;或者,所述像素定義層、所述絕緣介質層和所述突起結構三者中至少有兩者的材料相同。
基于上述,優選的,所述OLED顯示面板還包括薄膜晶體管和發光單元;所述發光單元包括陽極、有機材料功能層和陰極,所述陽極與所述薄膜晶體管的漏極電連接;所述薄膜晶體管設置在所述像素定義層與所述襯底之間;所述陽極設置在所述像素定義層與所述襯底之間,且所述像素定義層的開口露出部分所述陽極;所述有機材料功能層設置在所述像素定義層的開口內;所述陰極至少設置在所述像素定義層的開口內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





