[發明專利]一種OLED顯示面板及其制備方法

在審

• 申請號: 201611176024.8
• 申請日: 2016-12-16
• 公開（公告）號: CN108231824A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 朱儒暉
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種OLED顯示面板，包括襯底、設置在所述襯底上的像素定義層，其特征在于，還包括設置在所述像素定義層遠離所述襯底一側的絕緣介質層；

所述絕緣介質層的開口與所述像素定義層的開口在所述襯底的正投影重疊，且所述像素定義層的開口的邊緣超出所述絕緣介質層的開口的邊緣。

2.根據權利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述絕緣介質層的厚度為1～5μm。

3.根據權利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，還包括設置在所述像素定義層遠離所述襯底一側，且靠近所述像素定義層的開口的突起結構；

所述突起結構環繞所述像素定義層的開口設置，且所述突起結構的高度小于所述絕緣介質層的高度。

4.根據權利要求3所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述像素定義層、所述絕緣介質層和所述突起結構的材料均不相同；或者，

所述像素定義層、所述絕緣介質層和所述突起結構三者中至少有兩者的材料相同。

5.根據權利要求1-4任一項所述的OLED顯示面板，其特征在于，還包括薄膜晶體管和發光單元；所述發光單元包括陽極、有機材料功能層和陰極，所述陽極與所述薄膜晶體管的漏極電連接；

所述薄膜晶體管設置在所述像素定義層與所述襯底之間；

所述陽極設置在所述像素定義層與所述襯底之間，且所述像素定義層的開口露出部分所述陽極；所述有機材料功能層設置在所述像素定義層的開口內；所述陰極至少設置在所述像素定義層的開口內。

6.一種OLED顯示面板的制備方法，包括：在襯底上形成像素定義層，其特征在于，還包括：在所述像素定義層遠離所述襯底的一側形成絕緣介質層；

所述絕緣介質層的開口與所述像素定義層的開口在所述襯底的正投影重疊，且所述像素定義層的開口的邊緣超出所述絕緣介質層的開口的邊緣。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，還包括：在所述像素定義層遠離所述襯底一側，且靠近所述像素定義層的開口形成突起結構；

所述突起結構環繞所述像素定義層的開口設置，且所述突起結構的高度小于所述絕緣介質層的高度。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，形成所述像素定義層、所述絕緣介質層和所述突起結構，包括：

利用第一掩模板，并采用一次光刻工藝，形成所述像素定義層；

在所述像素定義層上，利用第二掩模板，并采用一次光刻工藝，形成所述絕緣介質層；利用第三掩模板，并采用一次光刻工藝，形成所述突起結構。

9.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，形成所述像素定義層、所述絕緣介質層和所述突起結構，包括：

利用第一掩模板，并采用一次光刻工藝，形成所述像素定義層；

在所述像素定義層上，形成第一絕緣介質薄膜，利用第一灰階掩模板，并采用一次光刻工藝，形成所述絕緣介質層和所述突起結構。

10.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，形成所述像素定義層、所述絕緣介質層和所述突起結構，包括：

形成第二絕緣介質薄膜，利用第二灰階掩模板，并采用一次光刻工藝，形成所述像素定義層和所述突起結構；

在所述像素定義層上，利用第二掩模板，并采用一次光刻工藝，形成所述絕緣介質層；或者，

形成第三絕緣介質薄膜，利用第三灰階掩模板，并采用一次光刻工藝，形成所述像素定義層和絕緣介質層；

在所述像素定義層上，利用第三掩模板，并采用一次光刻工藝，形成所述突起結構。

11.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，形成所述像素定義層、所述絕緣介質層和所述突起結構，包括：

形成第四絕緣介質薄膜，利用第四灰階掩模板，并采用一次光刻工藝，形成所述像素定義層、所述絕緣介質層和所述突起結構。

12.根據權利要求6-11任一項所述的制備方法，其特征在于，還包括形成薄膜晶體管和發光單元；所述發光單元包括陽極、有機材料功能層和陰極，所述陽極與所述薄膜晶體管的漏極電連接；

所述薄膜晶體管形成在所述像素定義層與所述襯底之間；

所述陽極形成在所述像素定義層與所述襯底之間，且所述像素定義層的開口露出部分所述陽極；所述有機材料功能層形成在所述像素定義層的開口內且后于所述絕緣介質層形成；所述陰極至少形成在所述像素定義層的開口內。