[發明專利]一種保護水溶液生長晶體表面臺階的方法有效
| 申請號： | 201611175554.0 | 申請日： | 2016-12-19 |
| 公開（公告）號： | CN106757346B | 公開（公告）日： | 2019-10-22 |
| 發明（設計）人： | 李偉東;丁建旭;顧慶天;王圣來;許心光;余波 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | C30B29/14 | 分類號： | C30B29/14;C30B33/00 |
| 代理公司： | 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219 | 代理人： | 楊磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶體表面 形貌 水溶液生長 正己烷 氯仿 表面結構 干凈表面 工作難度 生長溶液 實驗測試 物理性質 有機溶劑 晶體的 溫度差 再結晶 生長 不溶 附著 溶質 加熱 去除 殘留 保證 保存 安全 | ||
【權利要求書】：
1.一種保護水溶液生長晶體表面臺階的方法，包括步驟如下：
將水溶液生長晶體從溶液中取出，浸入到第一有機溶液中進行涮洗，去除水溶液生長晶體表面的水溶液；浸入第一有機溶液進行涮洗時，第一有機溶液的溫度與生長晶體的水溶液溫度之差≤5℃；所述的第一有機溶液的密度小于水的密度，水溶液生長晶體不溶解于第一有機溶液；所述的第一有機溶液為正己烷、庚烷；
去除水溶液生長晶體表面的水溶液后保存于第二有機溶液中；所述的第二有機溶液的密度大于水的密度，水溶液生長晶體不溶解于第二有機溶液。
2.根據權利要求1所述的保護水溶液生長晶體表面臺階的方法，其特征在于，晶體在浸入第一有機溶液進行涮洗時，同時用第一有機溶液噴射沖洗。
3.根據權利要求1所述的保護水溶液生長晶體表面臺階的方法，其特征在于，所述的水溶液生長晶體為KDP晶體、ADP晶體或DAST晶體。
4.根據權利要求1所述的保護水溶液生長晶體表面臺階的方法，其特征在于，所述的第二有機溶液為氯仿或四氯化碳。
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