[發(fā)明專利]一種適配鋁碳化硅基材的電阻漿料及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611174818.0 | 申請日: | 2016-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN106879085B | 公開(公告)日: | 2020-02-07 |
| 發(fā)明(設計)人: | 廖玉超;蘇冠賢 | 申請(專利權)人: | 東莞珂洛赫慕電子材料科技有限公司 |
| 主分類號: | H05B3/10 | 分類號: | H05B3/10 |
| 代理公司: | 44349 惠州市超越知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 魯慧波 |
| 地址: | 523000 廣東省東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 適配鋁 碳化硅 基材 電阻 漿料 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種適配鋁碳化硅基材的電阻漿料及其制備方法,該電阻漿料包括以下物料:導電相15%?30%、玻璃粉43%?55%、有機相26%?34%、助劑1%?3%;導電相由微米銀粉、納米銀粉、RuO2粉中的一種或兩種或三種組成;玻璃粉由氧化硅、氧化鋅、氧化鉍、氧化硼、氧化鋁和五氧化二磷組成;有機相由丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、鄰苯二甲酸二丁酯、檸檬酸三丁酯、乙基纖維素組成;該電阻漿料含鉛量為0且熱性質與鋁碳化硅基材、介質層的匹配度高,燒結形成電阻層不起皮、不鼓泡,與介質層結合力極強。該制備方法包括:制備玻璃粉、制備有機相、制備電阻漿料、絲印燒結介質層、絲印燒結電阻層、測定方阻和重燒變化率。
技術領域
本發(fā)明涉及電子材料技術領域,尤其涉及一種適配鋁碳化硅基材的電阻漿料及其制備方法。
背景技術
由于高的熱轉化效率和高的熱密度,厚膜電阻發(fā)熱成為近年來許多科研工作者和高新企業(yè)積極推崇的新技術。厚膜發(fā)熱體中少不了基材,由于耐溫性好、結構強度高、材料易得等特點,不銹鋼成為最常用的厚膜基材。金屬鋁或合金鋁的傳熱性能遠勝于不銹鋼,且密度小質量輕,一些行業(yè)期望用它替代不銹鋼。
然而,熔點低和熱膨脹系數(shù)高是阻礙金屬鋁作為厚膜基材的兩大主要因素。鋁碳化硅,又叫鋁瓷,它是將鋁和高體積分數(shù)的碳化硅、硅顆粒復合成為低密度、高導熱率和低膨脹系數(shù)的封裝材料。與金屬鋁相比,該材料的密度稍高,但其耐溫性更好,結構強度更高,熱膨脹系數(shù)更低接近不銹鋼,完全有望成為金屬鋁的替代品。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種適配鋁碳化硅基材的電阻漿料,該適配鋁碳化硅基材的電阻漿料由銀、RuO2、Si-Zn-Bi-B-Al-P系玻璃粉以及多種有機物組合而成,電阻漿料含鉛量為0且熱性質與鋁碳化硅基材、介質層的匹配度高,經燒結后形成的電阻層不起皮、不鼓泡,與介質層的結合力極強。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種適配鋁碳化硅基材的電阻漿料的制備方法,該制備方法能夠有效地生產制備上述適配鋁碳化硅基材的電阻漿料。
為達到上述目的,本發(fā)明通過以下技術方案來實現(xiàn)。
一種適配鋁碳化硅基材的電阻漿料,包括有以下重量份的物料,具體為:
導電相 15%-30%
玻璃粉 43%-55%
有機相 26%-34%
助劑 1%-3%;
其中,導電相由微米銀粉、納米銀粉、RuO2粉中的一種或兩種或三種組成;玻璃粉由氧化硅、氧化鋅、氧化鉍、氧化硼、氧化鋁和五氧化二磷組成;有機相由丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、鄰苯二甲酸二丁酯、檸檬酸三丁酯、乙基纖維素組成。
其中,所述微米銀粉的粒徑值為1-3μm,納米銀粉的粒徑值為0.05-0.2μm,RuO2粉的粒徑值為0.2-1.2μm。
其中,所述玻璃粉中氧化硅、氧化鋅、氧化鉍、氧化硼、氧化鋁和五氧化二磷六種物料的重量份依次為:20%-30%、15%-25%、28%-42%、5%-15%、2%-6%、 5%-10%。
其中,所述玻璃粉的粒徑值小于10μm。
其中,所述有機相中丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、鄰苯二甲酸二丁酯、檸檬酸三丁酯、乙基纖維素五種物料的重量份依次為:25%-30%、30%-45%、8%-12%、10%-15%、5%-10%。
其中,所述有機相的粘度為20dps -50dps。
其中,該電阻漿料的含鉛量為0,固含量為67%-75%,燒結溫度為500℃-520℃。
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