[發明專利]用于金屬柵極的制造工藝有效
| 申請號： | 201611170270.2 | 申請日： | 2016-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN106783741B | 公開（公告）日： | 2020-05-12 |
| 發明（設計）人： | 鮑宇 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8234 | 分類號： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 徐偉 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 金屬 柵極 制造 工藝 | ||
1.一種用于制造半導體器件的金屬柵極的方法，所述方法包括：
提供襯底；
在所述襯底上提供第一金屬柵極型晶體管區域和第二金屬柵極型晶體管區域，其中所述第一金屬柵極型晶體管區域和所述第二金屬柵極型晶體管區域的每一者包括虛柵極；
在所述第一金屬柵極型晶體管區域和所述第二金屬柵極型晶體管區域周圍提供零階層間介電ILD0層；
在所述ILD0層之上形成硬掩模層；
執行圖案化處理以移除部分硬掩模層以露出所述第一金屬柵極型晶體管區域和所述第二金屬柵極型晶體管區域處的虛柵極；
在所述第二金屬柵極型晶體管區域處的虛柵極之上形成氮化硅SiN層；
執行圖案化工藝以移除所述第一金屬柵極型晶體管區域中的虛柵極并在所述第一金屬柵極型晶體管區域中形成第一金屬柵極，所述第一金屬柵極為第一金屬柵極型；
執行第一化學機械拋光(CMP)工藝以拋光所述第一金屬柵極型晶體管區域中的所述第一金屬柵極以使得所述CMP工藝在所述SiN層處停止；以及
移除所述SiN層。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金屬柵極型為PMOS，以及所述第二金屬柵極型為NMOS。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金屬柵極型為NMOS，以及所述第二金屬柵極型為PMOS。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：
在移除所述SiN層之后在所述ILD0層之上形成硬掩模層；
執行圖案化工藝以移除所述第二金屬柵極型晶體管區域中的虛柵極并在所述第二金屬柵極型晶體管區域中形成第二金屬柵極，所述第二金屬柵極為第二金屬柵極型；
執行化學機械拋光(CMP)工藝以拋光所述第二金屬柵極型晶體管區域中的所述第二金屬柵極，其中所述CMP工藝包括移除所述硬掩模層。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩模層包括氮化鈦TiN。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiN層的厚度至少為100埃。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiN層是使用干法蝕刻工藝來移除的。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
