[發明專利]在場電介質上具有故障安全熔絲的IC有效
| 申請號： | 201611167809.9 | 申請日： | 2016-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN107068655B | 公開（公告）日： | 2022-01-25 |
| 發明（設計）人： | 河原秀明;楊紅;歐根·蓬皮柳·門德里切盧;羅伯特·格雷厄姆·肖 | 申請（專利權）人： | 德州儀器公司 |
| 主分類號： | H01L23/62 | 分類號： | H01L23/62;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 林斯凱 |
| 地址： | 美國德*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 在場 電介質 具有 故障 安全 ic | ||
1.一種熔絲電路，其包括：
襯底，其包含摻雜第一導電類型的頂部半導體層，所述頂部半導體層具有摻雜與所述第一導電類型相反的第二導電類型的形成于所述頂部半導體層中的阱，所述阱包含阱觸點；
場電介質層，其處于所述頂部半導體層上；
熔絲，其處于所述阱內的所述電介質層上，所述熔絲包含熔絲體，所述熔絲體包括導電材料帶，所述導電材料帶具有所述導電材料上的第一熔絲觸點及所述導電材料上與所述第一熔絲觸點分離的第二熔絲觸點；
晶體管，其在所述頂部半導體層中鄰近所述熔絲而形成，所述晶體管包含具有CT觸點的控制端子CT及具有FT觸點的第一端子FT及具有ST觸點的第二端子ST；
第一耦合路徑，其處于所述CT觸點與所述阱觸點之間；
第一電阻器，其耦合于所述FT觸點與所述CT觸點之間，及
第二耦合路徑，其處于所述ST觸點與所述第一熔絲觸點之間。
2.根據權利要求1所述的熔絲電路，其中所述晶體管包括雙極晶體管，其進一步包括所述第一耦合路徑中的第二電阻器，所述第二電阻的電阻低于所述第一電阻器的電阻。
3.根據權利要求2所述的熔絲電路，其中所述第一電阻器的電阻是所述第二電阻器的所述電阻的2到40倍。
4.根據權利要求1所述的熔絲電路，其中所述晶體管包括金屬氧化物半導體MOS晶體管。
5.根據權利要求1所述的熔絲電路，其中所述導電材料包括多晶硅、鎢或鋁。
6.根據權利要求1所述的熔絲電路，其中所述電介質層包括厚度為從0.05μm到0.3μm的場氧化物FOX層。
7.根據權利要求1所述的熔絲電路，其中所述第二熔絲觸點在包含所述熔絲電路的集成電路IC上內部接地。
8.根據權利要求1所述的熔絲電路，其中所述襯底及所述頂部半導體層兩者都包括硅。
9.一種集成電路IC，其包括：
襯底，其包含摻雜第一導電類型的頂部半導體層，所述頂部半導體層具有摻雜與所述第一導電類型相反的第二導電類型的形成于所述頂部半導體層中的阱，所述阱包含阱觸點；
功能電路，其形成于所述頂部半導體層中；
場電介質層，其處于所述頂部半導體層上；
至少一個熔絲，其處于所述阱內的所述電介質層上，所述熔絲包含熔絲體，所述熔絲體包括導電材料帶，所述導電材料帶具有所述導電材料上的第一熔絲觸點及所述導電材料上與所述第一熔絲觸點分離的第二熔絲觸點；
晶體管，其在所述頂部半導體層中鄰近所述熔絲而形成，所述晶體管包含具有CT觸點的控制端子CT及具有FT觸點的第一端子FT及具有ST觸點的第二端子ST；
第一耦合路徑，其處于所述CT觸點與所述阱觸點之間；
第一電阻器，其耦合于所述FT觸點與所述CT觸點之間，及
第二耦合路徑，其處于所述ST觸點與所述第一熔絲觸點之間。
10.根據權利要求9所述的IC，其中所述襯底及所述頂部半導體層兩者都包括硅。
11.根據權利要求9所述的IC，其中所述晶體管包括雙極晶體管，其進一步包括所述第一耦合路徑中的第二電阻器，所述第二電阻的電阻低于所述第一電阻器的電阻。
12.根據權利要求11所述的IC，其中所述第一電阻器的電阻是所述第二電阻器的所述電阻的2到40倍。
13.根據權利要求9所述的IC，其中所述晶體管包括金屬氧化物半導體MOS晶體管。
14.根據權利要求9所述的IC，其中所述導電材料包括多晶硅、鎢或鋁。
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