[發明專利]基于CNFET的三值或非門及三值1-3線地址譯碼器

有效

• 申請號: 201611165143.3
• 申請日: 2016-12-16
• 公開（公告）號: CN106847327B
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發明（設計）人: 汪鵬君;龔道輝;張會紅;康耀鵬
• 申請（專利權）人: 寧波大學
• 主分類號: G11C8/10
• 分類號: G11C8/10;G11C11/418
• 代理公司: 寧波奧圣專利代理事務所(普通合伙) 33226
• 代理人: 方小惠

本發明公開了一種基于CNFET的三值或非門及三值1?3線地址譯碼器，基于CNFET的三值或非門包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管和第五CNFET，基于CNFET的三值1?3線地址譯碼器包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管、第五CNFET管、第六CNFET管、第七CNFET管、第八CNFET管、第九CNFET管、第十CNFET管和第十一CNFET管；優點是功耗較低，延時較小。

技術領域

本發明涉及一種地址譯碼器，尤其是涉及一種基于CNFET的三值或非門及三值1-3線地址譯碼器。

背景技術

靜態隨機存儲器(Static Random Access Memory,SRAM)讀寫速度快，常用作處理器和內存間的接口電路，作為處理器的高速緩存。隨著超大規模集成電路(Very LargeScale Integration,VLSI)的發展，處理器時鐘頻率增加，對SRAM讀寫速度提出了更高的要求。地址譯碼器作為SRAM的重要的組成部分，其地址譯碼器延時占SRAM讀寫延時的很大一部分，因此SRAM的讀寫速度和功耗與地址譯碼器的性能有很大的關系。高性能地址譯碼器的設計對提高SRAM的讀寫速度降低功耗起了很大的作用。

傳統地址譯碼器采用CMOS技術設計，隨著特征尺寸縮小到納米量級，互連線寄生效應帶來的門延時、互連線串擾等問題越來越嚴重，地址譯碼器的工作速度遇到很大的挑戰。而準一維結構的碳納米管(Carbon Nanotube,CNT)因具有彈道傳輸特性、化學性質穩定和柵壓調制便捷等特點，具有代替CMOS工藝的可能。將CNTs作為導電溝道可制得碳納米場效應晶體管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)。文獻DENG J,WONG H SP.A Compact SPICE Model for Carbon-Nanotube Field-Effect TransistorsIncluding Nonidealities and Its Application-Part I:Model of the IntrinsicChannel Region[J].IEEE Transactions on Electron Devices,2007,54(12):3186-3194.研究表明，碳納米場效應晶體管的極間電容僅為MOSFET極間電容的4％，故利用CNFET設計的地址譯碼器具有更小的延時，可提高地址譯碼器的工作速度。二值邏輯系統中，n輸入地址譯碼器，在SRAM中可控制2ⁿ個SRAM單元的讀寫操作。而在多值邏輯系統中，n輸入地址譯碼器可控制更多的SRAM單元。如最小基的三值邏輯，其邏輯取值為“0”、“1”和“2”；三值n輸入地址譯碼器在SRAM中，可控制3ⁿ個SRAM的讀寫操作，從而提高了地址譯碼器的譯碼效率。在控制相同個數的SRAM單元時，采用三值地址譯碼器可減少封裝的管腳數目。

鑒此，設計一種功耗較低，延時較小的基于CNFET的三值或非門及三值1-3線地址譯碼器具有重要意義。

發明內容

本發明所要解決的技術問題之一是提供一種功耗較低，延時較小的基于CNFET的三值或非門。