[發明專利]一種提升閃存芯片性能的方法

有效

• 申請號: 201611161176.0
• 申請日: 2016-12-15
• 公開（公告）號: CN106601306B
• 公開（公告）日: 2019-12-31
• 發明（設計）人: 陸磊;周第廷
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: G11C29/44
• 分類號: G11C29/44;G11C29/50
• 代理公司: 31272 上海申新律師事務所
• 代理人: 俞滌炯

本發明涉及存儲器領域，尤其涉及一種提升閃存芯片性能的方法，包括：以一第二擦除參考電流為標準對每個扇區分別進行擦除操作；以一第二規格時間為標準分別判斷每個扇區的擦除時間是否超時，并記錄所有超時的扇區；搜尋超時的扇區中擦除最慢的存儲單元，并分別記錄每個超時的扇區中擦除最慢的存儲單元的地址；對每個地址分別進行分析，以根據分析結果分別對每個地址對應的存儲單元進行修復；上述技術方案通過將標準的第一擦除參考電流提高以將隱藏更深的擦除慢的存儲單元暴露出來，同時能夠消除對正常的存儲單元誤搜尋，從而避免因此問題引起需修復的存儲單元過多導致芯片無法正常修復的問題。

技術領域

本發明涉及存儲器領域，尤其涉及一種提升閃存芯片性能的方法。

背景技術

閃存芯片通常包括一陣列區，該陣列區由陣列分布的存儲器件形成，每個存儲單元用以存儲有一位數據，陣列區中存儲單元通常按邏輯劃分形成多個扇區。

市場對閃存產品擦除操作的速度和性能的要求越來越高。由于陣列區存在的單個或幾個擦除緩慢的存儲單元，首先在性能測試過程中，會導致芯片或扇區擦除時間超出規格時間而失效；其次，在測試的過程中會導致整個扇區擦除時間越來越長，隨著測試的進行，擦除時間可能是正常扇區的幾倍甚至幾十倍，致使閃存芯片的性能達不到客戶要求。

目前，閃存芯片搜尋擦除緩慢的存儲單元主要是通過一個統一固定的參考電流或參考電壓，以讀操作的方式來發現問題，這會帶來以下問題：擦除緩慢的存儲單元無法全部被搜尋到；正常的存儲單元被誤搜尋，誤搜尋發生過多會造成需修復的存儲單元過多，從而導致芯片無法正常修復。

發明內容

針對上述問題，本發明提出了一種提升閃存芯片性能的方法，所述閃存芯片包括一存儲陣列，所述存儲陣列包括多個扇區，每個所述扇區包括多個存儲單元，每個所述存儲單元用以保存一位數據；

提供一第一擦除參考電流，用于與所述存儲單元內的電流進行比較以判斷所述存儲單元內保存的數據是否被擦除；

提供一第一規格時間，用于判斷所述扇區在擦除過程中是否超時失效；

所述方法包括：

步驟S1，以高于所述第一擦除參考電流的一第二擦除參考電流為標準對每個所述扇區分別進行擦除操作；

步驟S2，以短于所述第一規格時間的一第二規格時間為標準分別判斷每個所述扇區的擦除時間是否超時，并記錄所有超時的所述扇區；

步驟S3，搜尋超時的所述扇區中擦除最慢的所述存儲單元，并分別記錄每個超時的所述扇區中擦除最慢的所述存儲單元的地址；

步驟S4，對每個所述地址分別進行分析，以根據分析結果分別對每個所述地址對應的所述存儲單元進行修復。

上述的方法，其中，搜尋失效的每個所述扇區中擦除最慢的所述存儲單元的具體方法為：

在所述存儲單元的字線上提供一階梯電壓，采用所述階梯電壓按照由高到低的次序以讀的方式分別搜尋整個超時的所述扇區，于搜尋到第一個所述存儲單元時將所述存儲單元定義為擦除最慢的所述存儲單元，并停止當前扇區中的搜尋。

上述的方法，其中，還包括：

步驟S5，以所述第一擦除參考電流和所述第一規格時間為標準分別對每個修復后的所述存儲單元所在的所述扇區進行正常的擦除測試；

步驟S6，如所述擦除測試通過，則將所述第二擦除參考電流恢復至所述第一擦除參考電流。

上述的方法，其中，所述階梯電壓中的最高電壓高于一預設上限；

所述預設上限為所述存儲單元在擦除狀態下的最大閾值電壓。

上述的方法，其中，所述預設上限為4.5V。